[发明专利]一种控制电路、电压源电路、驱动装置和驱动方法

权利要求书

1.一种控制电路，其特征在于，包括：

检测模块，用于检测半导体开关器件当前的工作条件；

确定模块，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述半导体开关器件的门极允许电压；

输出模块，用于根据所述确定模块确定的所述门极允许电压向所述半导体开关器件的驱动供电电路输出控制信号，以控制所述驱动供电电路为所述半导体开关器件提供的门极导通电压不高于所述门极允许电压，并且与所述门极允许电压正相关；

第一门极允许电压确定子模块，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述门极允许电压的第一值，所述第一值不高于所述半导体开关器件的门极击穿电压；

所述第一门极允许电压确定子模块包括：

门极击穿电压确定单元，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述半导体开关器件的门极击穿电压；

第一门极允许电压确定单元，用于根据所述门极击穿电压确定单元确定的门极击穿电压和预设的第一裕量确定所述第一值。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述确定模块还包括：

第二门极允许电压确定子模块，用于根据所述半导体开关器件的导电沟道两端之间的允许电压和所述检测模块检测到的工作条件确定所述门极允许电压的第二值；

第三门极允许电压确定子模块，用于根据所述第一门极允许电压确定子模块确定的第一值和所述第二门极允许电压确定子模块确定的第二值中的较小值确定所述门极允许电压。

3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述确定模块还包括：

沟道允许电压确定子模块，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述导电沟道两端之间的允许电压，所述导电沟道两端之间的允许电压不高于所述导电沟道两端之间的击穿电压。

4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述沟道允许电压确定子模块包括：

沟道击穿电压确定单元，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述导电沟道两端之间的击穿电压；

沟道允许电压确定单元，用于根据所述沟道击穿电压确定单元确定的导电沟道两端之间的击穿电压和预设的第二裕量确定所述导电沟道两端之间的允许电压。

5.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述半导体开关器件为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述导电沟道两端包括所述MOSFET的漏极和源极；

或者，所述半导体开关器件为绝缘栅双极型晶体管IGBT，所述导电沟道两端包括所述IGBT的集电极和发射极。

6.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述半导体开关器件为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述导电沟道两端包括所述MOSFET的漏极和源极；

或者，所述半导体开关器件为绝缘栅双极型晶体管IGBT，所述导电沟道两端包括所述IGBT的集电极和发射极。

7.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述半导体开关器件为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述导电沟道两端包括所述MOSFET的漏极和源极；

或者，所述半导体开关器件为绝缘栅双极型晶体管IGBT，所述导电沟道两端包括所述IGBT的集电极和发射极。

8.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述工作条件包括所述半导体开关器件的工作温度，或者，所述半导体开关器件的工作温度和工作电流，或者，所述半导体开关器件的工作温度和工作平台电压，或者，所述半导体开关器件的工作温度、工作电流和工作平台电压。

9.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述工作条件包括所述半导体开关器件的工作温度，或者，所述半导体开关器件的工作温度和工作电流，或者，所述半导体开关器件的工作温度和工作平台电压，或者，所述半导体开关器件的工作温度、工作电流和工作平台电压。