[发明专利]一种基于SRAM的中子能谱探测器及测量中子能谱的反演算法有效

专利信息
申请号: 201910303766.X 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN110018514B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 樊瑞睿;蒋伟;易晗 申请(专利权)人: 东莞中子科学中心;中国科学院高能物理研究所
主分类号: G01T3/08 分类号: G01T3/08
代理公司: 广东腾锐律师事务所 44473 代理人: 张雪华
地址: 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区总部*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 sram 中子 探测器 测量 反演 算法
【权利要求书】:

1.一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:包括硬件设备和反演算法两部分,其中硬件设备是一套基于SRAM的中子能谱探测器;反演算法是通过统计若干不同种类且SEU截面函数已知的SRAM翻转次数,反推出未知中子能谱;

所述的反演算法内容如下:

(1)确定单个SRAM芯片的翻转概率

确认一个SRAM芯片的单粒子翻转截面曲线,用Weibull函数来拟合,函数定义为:

其中,fsat为芯片饱和翻转截面,f(E)为芯片翻转截面函数,E为中子能量,Eth为芯片翻转阈值常在MeV量级,s和W是拟合参数;设一个中子源通量随能量分布函数为ρ(E),则一个芯片在这个中子源上的翻转概率k为:

k=∫f(E)*ρ(E)dE

由于ρ(E)常使用划分的区间来表示,所以在离散条件下上面的公式可以重新表示为:

k=∑f(Ei)×ρ(Ei)

(2)确定一组SRAM芯片的翻转概率

假设测试中共采用的一组芯片数量为N,每块芯片的翻转概率为ki,根据离散条件下芯片翻转概率的表达式,ki可以表达为:

该公式中Ej表示中子能谱第j道对应的能量;

从该公式可以看出,芯片的翻转概率是所有能量值的线性组合;

采用矩阵的方式,将一组中所有芯片的翻转概率表示为:

k=Fρ

其中k和ρ为列向量,F被称为芯片的能谱响应矩阵;

(3)求解原始能谱

通过所有芯片的翻转概率分布和响应矩阵情况,采用贝叶斯方法进行求解原始能谱,根据贝叶斯条件概率理论进行推导,可以得到能谱分布的后验概率迭代评估值为:

其中N为芯片总数,M为能谱的总道数,ρ(s+1)(Ei)为第(s+1)次迭代得到的能谱分布。

2.根据权利要求1所述的一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:测量中子能谱时主要包括以下步骤:

(1)将反演算法基于计算机语言及部分开源代码库进行构建;

(2)将通过采用基于SRAM的中子能谱探测器积累一定数量的统计,得到一组芯片的翻转概率;

(3)将这组芯片中每块芯片的翻转概率分布代入能谱反演程序,得到中子能谱。

3.根据权利要求2所述的一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:在能谱反演程序启动时先设置能谱反演的参数,包括芯片总数、响应矩阵维度、迭代次数和能谱区间等参数,然后输入测量得到的芯片翻转概率分布和芯片的响应矩阵;之后开始通过贝叶斯算法进行能谱的反演迭代计算过程;当迭代结果满足设定的收敛条件或迭代次数达到设定值之后,停止迭代过程并输出反演得到的中子能谱。

4.根据权利要求1至3任一项权利要求所述的一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:所述的中子能谱探测器为一块具备芯片读写能力的电路板,使用若干SRAM作为灵敏探头。

5.根据权利要求4所述的一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:所述的探头上安装的SRAM所发生的SEU从宏观上看表象为观测到寄存器位(bit)由“0”变为“1”或由“1”变为“0”,可通过指令对存储器中单元进行读写并通过对比读写字节确认SRAM内部是否发生了单粒子翻转。

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