[发明专利]一种基于SRAM的中子能谱探测器及测量中子能谱的反演算法有效
| 申请号: | 201910303766.X | 申请日: | 2019-04-16 | 
| 公开(公告)号: | CN110018514B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 | 
| 发明(设计)人: | 樊瑞睿;蒋伟;易晗 | 申请(专利权)人: | 东莞中子科学中心;中国科学院高能物理研究所 | 
| 主分类号: | G01T3/08 | 分类号: | G01T3/08 | 
| 代理公司: | 广东腾锐律师事务所 44473 | 代理人: | 张雪华 | 
| 地址: | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区总部*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 sram 中子 探测器 测量 反演 算法 | ||
1.一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:包括硬件设备和反演算法两部分,其中硬件设备是一套基于SRAM的中子能谱探测器;反演算法是通过统计若干不同种类且SEU截面函数已知的SRAM翻转次数,反推出未知中子能谱;
所述的反演算法内容如下:
(1)确定单个SRAM芯片的翻转概率
确认一个SRAM芯片的单粒子翻转截面曲线,用Weibull函数来拟合,函数定义为:
其中,fsat为芯片饱和翻转截面,f(E)为芯片翻转截面函数,E为中子能量,Eth为芯片翻转阈值常在MeV量级,s和W是拟合参数;设一个中子源通量随能量分布函数为ρ(E),则一个芯片在这个中子源上的翻转概率k为:
k=∫f(E)*ρ(E)dE
由于ρ(E)常使用划分的区间来表示,所以在离散条件下上面的公式可以重新表示为:
k=∑f(Ei)×ρ(Ei)
(2)确定一组SRAM芯片的翻转概率
假设测试中共采用的一组芯片数量为N,每块芯片的翻转概率为ki,根据离散条件下芯片翻转概率的表达式,ki可以表达为:
该公式中Ej表示中子能谱第j道对应的能量;
从该公式可以看出,芯片的翻转概率是所有能量值的线性组合;
采用矩阵的方式,将一组中所有芯片的翻转概率表示为:
k=Fρ
其中k和ρ为列向量,F被称为芯片的能谱响应矩阵;
(3)求解原始能谱
通过所有芯片的翻转概率分布和响应矩阵情况,采用贝叶斯方法进行求解原始能谱,根据贝叶斯条件概率理论进行推导,可以得到能谱分布的后验概率迭代评估值为:
其中N为芯片总数,M为能谱的总道数,ρ(s+1)(Ei)为第(s+1)次迭代得到的能谱分布。
2.根据权利要求1所述的一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:测量中子能谱时主要包括以下步骤:
(1)将反演算法基于计算机语言及部分开源代码库进行构建;
(2)将通过采用基于SRAM的中子能谱探测器积累一定数量的统计,得到一组芯片的翻转概率;
(3)将这组芯片中每块芯片的翻转概率分布代入能谱反演程序,得到中子能谱。
3.根据权利要求2所述的一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:在能谱反演程序启动时先设置能谱反演的参数,包括芯片总数、响应矩阵维度、迭代次数和能谱区间等参数,然后输入测量得到的芯片翻转概率分布和芯片的响应矩阵;之后开始通过贝叶斯算法进行能谱的反演迭代计算过程;当迭代结果满足设定的收敛条件或迭代次数达到设定值之后,停止迭代过程并输出反演得到的中子能谱。
4.根据权利要求1至3任一项权利要求所述的一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:所述的中子能谱探测器为一块具备芯片读写能力的电路板,使用若干SRAM作为灵敏探头。
5.根据权利要求4所述的一种基于SRAM的中子能谱探测方法,其特征在于:所述的探头上安装的SRAM所发生的SEU从宏观上看表象为观测到寄存器位(bit)由“0”变为“1”或由“1”变为“0”,可通过指令对存储器中单元进行读写并通过对比读写字节确认SRAM内部是否发生了单粒子翻转。
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