[发明专利]引线框架结构，芯片封装结构及其制造方法

说明书

本发明通过提出一种新的形成引线框架的方法，借助基板作为载体来形成引线框架，使得分布在引线框架内部区域的引脚不需要通过连筋到引线框架的边缘区域，在所述引线框架内部区域设置引脚的数量和位置具有灵活性。因此本发明提出的方法形成的引线框架使得安装在其上的芯片的排布具有灵活性，芯片引脚的数量也不会受到限制，进一步可节约芯片尺寸，减小封装的体积。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及引线框架结构，芯片封装结构及其制造方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，起到连接芯片与外部线路板电信号的作用，是制作生产集成电路半导体元件的基本部件。目前的QFN封装采用的框架/基板的最常用制备方法有的双面蚀刻+局部电镀方案，这种方法适用于绝大部分的产品。但是其缺陷是所有的引脚和外露焊盘都需要连筋到封装边缘上，这样如果芯片尺寸、引脚数量较多时，就无法有效完成功率管布局。

如图1所示，所述QFN封装包括引线框架和芯片110，所述引线框架包括位于其边缘区域的第一引脚120以及位于其内部区域的第二引脚130，所述第二引脚上包括外露焊盘131。但因现有工艺形成的第二引脚130必须通过连筋到引线框架的边缘处，即第二引脚130连筋到第一引脚121，122和123上，使得设计第一引脚121，122和123的电位必须和外露焊盘131的电位相同，如此就会浪费三个引脚，而且第二引脚130的位置也需按照连筋的位置而设置，无法充分并有效的布局和利用引线框架的引脚。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种引线框架结构，芯片封装结构及其制造方法，以解决现有技术存在的问题。

根据本发明的第一方面，提供一种制造引线框架的方法，包括：

提供一框架基底；提供一基板，以为所述框架基底提供支撑作用；以及选择性地刻蚀所述框架基底以形成所述引线框架的引脚，所述引脚包括第一类型引脚和第二类型引脚，其中，所述第一类型引脚分布于所述引线框架的内部区域，所述第二类型引脚分布于所述引线框架的边缘区域，所述第一类型引脚和所述第二类型引脚相互隔离，以及所述第一类型引脚与所述第二类型引脚之间没有连筋连接；所述第一类型引脚和所述第二类型引脚的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面具有不同的图案，以及由不同类型的金属组成。

优选地，所述方法还包括：采用塑封料囊封所述引线框架以裸露所述引线框架引脚的第二表面和所述基板；去除所述基板。

优选地，形成所述引线框架的引脚的步骤包括：图案化所述框架基底的第一表面，以形成所述引线框架引脚的外引脚图案；将所述框架基底的第一表面翻转后放置在所述基板上；图案化所述框架基底的第二表面，以形成所述引线框架引脚的内引脚图案，其中，所述框架基底的第二表面与所述第一表面相对。

优选地，形成所述引线框架引脚的外引脚图案的步骤包括：在所述框架基底的第一表面形成不同于所述框架基底的成分的可焊接层；选择性的对所述框架基底进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀起始于所述框架基底的第一表面并沿着所述框架基底的厚度方向延伸，所述第一次刻蚀的深度小于所述框架基底的厚度，所述框架基底的厚度方向为从所述框架基底的第一表面指向第二表面的方向，其中，所述框架基底的第一表面未被刻蚀的部分为外引脚图案。

优选地，在所述框架基底的第一表面电镀金属焊接层。

优选地，在所述框架基底的第一表面电镀镍钯金层。

优选地，形成所述引线框架引脚的内引脚图案包括：在经由所述第一次刻蚀形成的所述框架基底被减薄的区域，选择性的从所述框架基底的第二表面进行第二次刻蚀，以形成分离的所述第一类型引脚和所述第二类型引脚，其中，第二次刻蚀后的所述框架基底的第二表面为所述内引脚图案。

优选地，每一所述引脚的外引脚的表面面积小于内引脚的表面面积。

优选地，根据相邻所述引脚之间的间距设置通过所述第一次刻蚀工艺刻蚀掉的所述框架基底的厚度。