[发明专利]引线框架结构，芯片封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造引线框架的方法，包括：

提供一框架基底；

提供一基板，以为所述框架基底提供支撑作用；

选择性地刻蚀所述框架基底以形成所述引线框架的引脚，所述引脚包括第一类型引脚和第二类型引脚，以及

去除所述基板，

其中，所述第一类型引脚分布于所述引线框架的内部区域，所述第二类型引脚分布于所述引线框架的边缘区域，所述第一类型引脚和所述第二类型引脚相互隔离，以及所述第一类型引脚与所述第二类型引脚之间没有连筋连接；所述第一类型引脚和所述第二类型引脚的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面具有不同的图案，以及由不同类型的金属组成，

形成所述引线框架的引脚的步骤包括：

采用第一次刻蚀工艺，图案化所述框架基底的第一表面，在所述框架基底的第一表面形成凹凸形状，所述凸出部分的表面为所述引线框架引脚的外引脚层图案；

形成所述外引脚层图案后，将所述框架基底的第一表面翻转后放置在所述基板上；

采用第二次刻蚀工艺，图案化所述框架基底的第二表面，以形成所述引线框架引脚的内引脚层图案，其中，所述框架基底的第二表面与所述第一表面相对，

在图案化所述框架基底的第一表面之前，还包括在所述框架基底的第一表面电镀金属焊接层，以作为与外部电路直接连接的连接媒介，

根据相邻所述外引脚之间的间距设置通过所述第一次刻蚀工艺刻蚀掉的所述引线框架基底的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除所述基板之前，所述方法还包括：

采用塑封料囊封所述引线框架以裸露所述引线框架引脚的第二表面和所述基板。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述引线框架引脚的外引脚层图案的步骤包括：

在所述框架基底的第一表面形成不同于所述框架基底的成分的可焊接层；

选择性的对所述框架基底进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀起始于所述框架基底的第一表面并沿着所述框架基底的厚度方向延伸，所述第一次刻蚀的深度小于所述框架基底的厚度，所述框架基底的厚度方向为从所述框架基底的第一表面指向第二表面的方向，

其中，所述框架基底的第一表面未被刻蚀的部分为外引脚图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述框架基底的第一表面电镀镍钯金层。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述引线框架引脚的内引脚层图案包括：

在经由所述第一次刻蚀形成的所述框架基底被减薄的区域，选择性的从所述框架基底的第二表面进行第二次刻蚀，以形成分离的所述第一类型引脚和所述第二类型引脚，

其中，第二次刻蚀后的所述框架基底的第二表面为所述内引脚图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，每一所述引脚的外引脚层的表面面积小于内引脚层的表面面积。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，采用各向同性刻蚀工艺进行所述第一次刻蚀。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一次刻蚀所述框架基底的厚度与相邻所述引脚之间的间距相同。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成的所述引线框架为QFN引线框架。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，所述框架基底的第一表面通过UV膜粘贴到所述基板上。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板具有耐酸性。

12.一种制造封装结构的方法，包括：

根据权利要求1所述的方法形成所述引线框架；

将晶片安装于所述第一类型引脚和所述第二类型引脚的第二表面上；

采用塑封料包封所述晶片和所述引线框架；

去除所述基板，以使所述第一类型引脚和所述第二类型引脚的第一表面裸露，以与外部电路直接连接。