[发明专利]一种用于改善PERC电池的制作方法在审
申请号: | 201910297831.2 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN110165016A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 童锐;柯希满;张忠卫 | 申请(专利权)人: | 南通苏民新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林;俞翠华 |
地址: | 226300 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 传送皮带 刻蚀机台 送入 磷硅玻璃层 硅片正面 磷扩散层 盛放件 去除 电池 水槽 太阳能电池 不良问题 硅片边缘 混合溶液 扩散处理 抛光处理 烘干槽 翻转 朝上 烘干 送出 酸槽 制作 背面 清洗 覆盖 污染 | ||
本发明公开了一种用于改善PERC电池的制作方法,包括(1)对硅片顺次进行制绒和扩散处理,使得硅片的正面形成有磷扩散层以及覆盖在所述磷扩散层上的磷硅玻璃层,所述硅片的边缘存在PN结;(2)将所述硅片正面朝上送入刻蚀机台内,由刻蚀机台内的混合溶液去除所述硅片边缘的PN结,并对硅片的背面进行抛光处理,然后将所述硅片送出刻蚀机台;(3)对所述硅片进行翻转处理后送入传送皮带,使得硅片的正面与传送皮带接触;(4)利用传送皮带将硅片送入盛放件内,随着所述盛放件顺次经过酸槽、第三水槽和烘干槽,去除硅片正面的磷硅玻璃层,并对其进行清洗和烘干。本发明能够大大改善PERC太阳能电池因污染而引起的EL不良问题。
技术领域
本发明属于太阳能光伏电池制造技术领域,具体涉及一种用于改善PERC电池的制作方法,更具体地设计一种用于改善PERC电池EL不良的制作方法。
背景技术
PERC电池与常规电池最大的区别在于背表面介质膜钝化,采用局部金属接触,有效降低背面的电子复合速度,同时提升了背表面的光反射。目前的PERC电池生产工艺流程如图1所示,从前到后依次为:1.制绒:对硅片进行制绒形成绒面;2.扩散:对硅片正面进行磷扩散形成PN结;3.刻蚀:对背面进行抛光、去除边缘PN结及正面的磷硅玻璃。4.氧化:在硅片正面形成一层2-10nm的二氧化硅薄膜。5背钝化:在背面形成一层氧化铝膜和氮化硅膜,对背面达到钝化效果。6.PECVD:在硅片两面镀氮化硅减反射膜。7.激光开槽:按照设定图形用激光打通背面氧化铝和氮化硅膜层,使背电场与背面硅基体形成电学通路。8.印刷烧结:印刷背面电极(银浆)、背面栅线(铝浆,印刷铝栅线需与激光开槽重合)及正面栅线和电极(银浆);然后将印刷好的电池片在高温(300~900℃)下进行烧结,使印刷的浆料和硅片形成良好的欧姆接触。
太阳能电池在生产过程中电致发光(Electro Luminesence,EL)不良主要是由于硅片接触到污染物所导致。基于现有的制作工艺流程,在扩散过程中,硅片正面会沉积磷硅玻璃(二氧化硅、磷及五氧化二磷的混合物)。当完成刻蚀工序后,出刻蚀机台后硅片经由自动化设备皮带传输进入花篮。由于自动化设备的皮带随着时间工作时间的变长,会出现磨损,其会出现污染物沾在皮带。生产过程中硅片经由皮带传输,无论是硅片正面还是背面接触皮带传输,都会将皮带上的污染物转移到硅片表面。硅片经由后续工艺流程后制作成电池片后,污染物就会进入硅片里面,从而造成EL测试不良,并且导致电池片转换效率降低、质量可靠性变差等一系列问题。
发明内容
针对上述问题,本发明提出一种用于改善PERC电池的制作方法,能够大大改善PERC太阳能电池因污染而引起的EL不良问题。
为了实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明通过以下技术方案实现:
一种用于改善PERC电池的制作方法,包括以下步骤:
(1)对硅片顺次进行制绒和扩散处理,使得硅片的正面形成有磷扩散层以及覆盖在所述磷扩散层上的磷硅玻璃层,所述硅片的边缘存在PN结;
(2)将所述硅片正面朝上送入刻蚀机台内,由刻蚀机台内的混合溶液去除所述硅片边缘的PN结,并对硅片的背面进行抛光处理,然后将所述硅片送出刻蚀机台;
(3)对所述硅片进行翻转处理后送入传送皮带,使得硅片的正面与传送皮带接触;
(4)利用传送皮带将硅片送入盛放件内,随着所述盛放件顺次经过酸槽、第三水槽和烘干槽,去除硅片正面的磷硅玻璃层,并对其进行清洗和烘干。
优选地,所述步骤(2)中的将所述硅片正面朝上送入刻蚀机台,由刻蚀机台内的混合溶液去除所述硅片边缘的PN结,并对硅片的背面进行抛光处理,具体包括以下子步骤:
将所述硅片正面朝上送入刻蚀槽,去除硅片边缘PN结并对硅片背面进行抛光;
将所述硅片送入第一水槽中进行清洗后,送入碱槽洗去硅片表面的多孔硅;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的