[发明专利]一种用于改善PERC电池的制作方法在审
申请号: | 201910297831.2 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN110165016A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 童锐;柯希满;张忠卫 | 申请(专利权)人: | 南通苏民新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林;俞翠华 |
地址: | 226300 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 传送皮带 刻蚀机台 送入 磷硅玻璃层 硅片正面 磷扩散层 盛放件 去除 电池 水槽 太阳能电池 不良问题 硅片边缘 混合溶液 扩散处理 抛光处理 烘干槽 翻转 朝上 烘干 送出 酸槽 制作 背面 清洗 覆盖 污染 | ||
1.一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)对硅片顺次进行制绒和扩散处理,使得硅片的正面形成有磷扩散层以及覆盖在所述磷扩散层上的磷硅玻璃层,所述硅片的边缘存在PN结;
(2)将所述硅片正面朝上送入刻蚀机台内,由刻蚀机台内的混合溶液去除所述硅片边缘的PN结,并对硅片的背面进行抛光处理,然后将所述硅片送出刻蚀机台;
(3)对所述硅片进行翻转处理后送入传送皮带,使得硅片的正面与传送皮带接触;
(4)利用传送皮带将硅片送入盛放件内,随着所述盛放件顺次经过酸槽、第三水槽和烘干槽,去除硅片正面的磷硅玻璃层,并对其进行清洗和烘干。
2.根据权利要求1所述的一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于:所述步骤(2)中的将所述硅片正面朝上送入刻蚀机台,由刻蚀机台内的混合溶液去除所述硅片边缘的PN结,并对硅片的背面进行抛光处理,具体包括以下子步骤:
将所述硅片正面朝上送入刻蚀槽,去除硅片边缘PN结并对硅片背面进行抛光;
将所述硅片送入第一水槽中进行清洗后,送入碱槽洗去硅片表面的多孔硅;
将所述硅片送入第二水槽中进行清洗后,送入热风槽中利用热风将硅片表面的水分烘干。
3.根据权利要求2所述的一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于:所述刻蚀槽内盛放的是氢氟酸、硝酸和水的混合溶液;所述碱槽内盛放的是氢氧化钠和水的混合溶液;所述第一水槽和第二水槽内盛放的均为纯水。
4.根据权利要求2所述的一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于:所述硅片在刻蚀机台内由滚轮传送带运送顺次经过刻蚀槽、第一水槽、碱槽、第二水槽和热风槽。
5.根据权利要求1或4所述的一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于:所述步骤(3)中的对所述硅片进行翻转处理后送入传送皮带,使得硅片的正面与传送皮带接触,具体为:
当硅片从刻蚀机台中出来后,进入设于刻蚀机台出口处的翻转件上;
当硅片完全进入到翻转件上后,所述翻转件转动180度,将硅片放到传送皮带上,使得硅片的正面与传送皮带接触。
6.根据权利要求1所述的一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于:所述盛放件为花篮。
7.根据权利要求1所述的一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于:所述酸槽内盛放的是氢氟酸和水的混合溶液,其中,氢氟酸浓度为5%-15%,浸泡时间为1-5min。
8.根据权利要求1所述的一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于:所述硅片在第三水槽内浸泡的时间为2-5min。
9.根据权利要求1所述的一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于:所述烘干槽内通入热风,内部温度为50-80℃,烘干时间为3-6min。
10.根据权利要求1所述的一种用于改善PERC电池的制作方法,其特征在于:所述利用传送皮带将硅片送入盛放件内,随着所述盛放件顺次经过酸槽、水槽和烘干槽步骤之后,还包括:
顺次对硅片进行氧化、背钝化、PECVD镀膜、激光开槽和印刷烧结,形成PERC电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的