[发明专利]一种溶液加工型全荧光白光有机发光二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种溶液加工型全荧光白光有机发光二极管器件，其特征在于，该器件结构依次包括：衬底、阳极、空穴注入层、缓冲层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；

所述发光层的材料为DBP、PXZDSO2和DACR-DPTX，结构如下所示：

所述DBP、PXZDSO2和DACR-DPTX的质量比为(0.25-1wt％)：(0.5-1.2wt％)：(0.9-1)。

2.根据权利要求1所述的一种溶液加工型全荧光白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述衬底的材料包括玻璃、石英、蓝宝石、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯对苯二酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、金属、合金或不锈钢膜；所述阳极和阴极为金属、金属氧化物、聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)或聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)衍生物。

3.根据权利要求2所述的一种溶液加工型全荧光白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述金属包括铝、银、金或银镁合金；所述金属氧化物是指氧化铟锡、掺氟二氧化锡、氧化锌和铟镓锌氧化物中的一种或两种以上的组合。

4.根据权利要求1所述的一种溶液加工型全荧光白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述空穴注入层与缓冲层为单层，或加入电子、激子阻挡层的多层；所述空穴阻挡层与电子传输层为单层，或加入空穴、激子阻挡层的多层。

5.根据权利要求1所述的一种溶液加工型全荧光白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述空穴注入层为聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)；所述缓冲层为聚乙烯基咔唑或4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺。

6.根据权利要求1所述的一种溶液加工型全荧光白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述空穴阻挡层为二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚；所述电子传输层为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶；所述电子注入层为氟化锂或氟化铯。

7.根据权利要求1所述的一种溶液加工型全荧光白光有机发光二极管器件，其特征在于，所述发光层为单层，构成发光层的材料有且只有荧光材料。

8.制备权利要求1～7任一项所述的一种溶液加工型全荧光白光有机发光二极管器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：

准备洁净的带有阳极的衬底，以旋涂的方式依次沉积空穴注入层、缓冲层、发光层，再以真空蒸镀的方式依次沉积空穴阻挡层、电子传输层、阴极，最终得到完整器件。