[发明专利]一种提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法

权利要求书

1.一种提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法，其特征是：

基于三维架构NAND闪存存储器，对于进行多次擦除和编程操作的器件，当BER到达用户设定的阈值后，将存储器最后保持为擦除状态，再对器件进行退火。

2.根据权利要求1所述提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法，其特征是：所述BER的检测是对NAND矩阵中的单个NAND器件进行检测，或者是对单个器件中的一个Block进行检测。

3.根据权利要求1所述提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法，其特征是：所述退火是在150℃-250℃的温度下保持1-72小时，之后在常温下冷却。

4.根据权利要求1所述提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法，其特征是：所述退火是在180-220度保持2小时-20小时，之后在常温下冷却。

5.根据权利要求1所述提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法，其特征是：所述退火条件是在200度保持3个小时，之后在常温下冷却。

6.根据权利要求1所述提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法，其特征是：所述退火通过以下途径实现：通过芯片下方的电路对检测后的Block所在的芯片进行退火，或者是将检测后的Block所在的芯片从NAND矩阵中取出进行退火。

7.根据权利要求1所述提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法，其特征是：将存储器最后保持为擦除状态时，如果在擦除之前要对之前存储的信息进行保存，将信息先复制到相邻的NAND闪存存储器或相邻的Block中。