[发明专利]有机膜形成装置有效
申请号: | 201910293044.0 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110391132B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 高桥崇史;矶明典 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;王玉玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 形成 装置 | ||
本发明提供一种有机膜形成装置,其对涂布有含有有机材料和溶剂的溶液的基板进行热损失较少且蓄热效率较高的加热,能够形成有机膜。具备:腔,可维持比大气压更被减压的环境;排气部,可对所述腔的内部进行排气;第1加热部,设置在所述腔的内部,具有第1加热器;第2加热部,具有第2加热器;第1均热板;第2均热板;溶液,含有涂布于所述基板的上面的有机材料和溶剂;处理区域,支撑有工件;及第1反射板,设置在所述腔的内部,所述第1均热板及所述第2均热板向所述处理区域侧放射从所述第1加热器及所述第2加热器射入的热,所述第1反射板向所述处理区域侧反射从所述第1加热器及所述第2加热器射入的热。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种有机膜形成装置。
背景技术
存在如下技术,基板上涂布含有有机材料和溶剂的溶液,对此进行加热而在基板上形成有机膜。例如,在液晶显示屏的制造中,对设置于透明基板上的透明电极等的表面涂布含有聚酰胺酸的胶液,发生酰亚胺化而形成聚酰亚胺膜,对所得到的膜进行抛光处理而形成配向膜。另外,在具有柔性的树脂基板的制造中,对玻璃基板等辅助基板的表面涂布含有聚酰胺酸的胶液,发生酰亚胺化而形成聚酰亚胺膜并从辅助基板剥离。此时,加热涂布有含有聚酰胺酸的胶液的基板而使聚酰胺酸发生酰亚胺化。另外,还加热涂布有含有有机材料和溶剂的溶液的基板而使溶剂发生蒸发,在基板上形成有机膜。
当在基板上涂布含有有机材料和溶剂的溶液并对此进行加热而形成有机膜时,有时需要在100℃~600℃左右的极高的温度下进行处理。另外,有时在比大气压更被减压的腔的内部形成有机膜(例如,参照专利文献1)。
当加热涂布于基板上的溶液而形成有机膜时,如果朝着基板放射的热向进行加热的腔的外部散出,则蓄热效率变差。如果蓄热效率变差,则为了补充向腔的外部散出的热,需要进行处理所需的温度以上的加热,外加于加热部的电力会增大。另外,当进行需要急剧的温度上升的处理时,有可能得不到所希望的温度上升。
于是,希望开发出热损失较少且蓄热效率较高的加热技术。
专利文献1:日本国特开平9-320949号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有机膜形成装置,其对涂布有含有有机材料和溶剂的溶液的基板进行热损失较少且蓄热效率较高的加热,能够形成有机膜。
实施方式所涉及的有机膜形成装置具备:腔,可维持比大气压更被减压的环境;排气部,可对所述腔的内部进行排气;第1加热部,设置在所述腔的内部,具有至少1个第1加热器;第2加热部,设置在所述腔的内部,具有至少1个第2加热器,设置成与所述第1加热部相对;至少1个第1均热板,设置在所述第1加热部与所述第2加热部之间;至少1个第2均热板,设置在所述第1均热板与所述第2加热部之间;处理区域,位于所述第1均热板与所述第2均热板之间,支撑有具有基板与含有涂布于所述基板的上面的有机材料和溶剂的溶液的工件;侧部均热板,设置在所述处理区域的侧部;及第1反射板,设置在所述腔的内部,围住包含所述第1加热部、所述第2加热部、所述第1均热板、所述第2均热板、所述侧部均热板和所述处理区域的区域,所述第1均热板及所述第2均热板向所述处理区域侧放射从所述第1加热器及所述第2加热器射入的热,所述第1反射板向所述处理区域侧反射从所述第1加热器及所述第2加热器射入的热。
根据本发明的实施方式,提供一种有机膜形成装置,其对涂布有含有有机材料和溶剂的溶液的基板进行热损失较少且蓄热效率较高的加热,能够形成有机膜。
附图说明
图1是用于例示本实施方式所涉及的有机膜形成装置的模式化立体图。
图2是用于例示反射板的安装的模式图。
图3是图2中的A-A线剖视图。
图4是用于例示反射板的安装的模式图。
图5是用于例示其他实施方式所涉及的反射板的安装的模式图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造