[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201910292546.1 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110379699A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 梅原直征;西川真树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电力水平 高频电源 等离子体处理装置 调制高频 阻抗 监视 开始时间点 负载功率 输出阻抗 反射波 交替的 匹配器 行波 反射 输出 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体处理装置，具备：
腔室；
高频电源；
电极，其与所述高频电源电连接，以在所述腔室内生成等离子体；以及
匹配器，其连接在所述高频电源与所述电极之间，
所述高频电源构成为，输出以以下方式生成的高频电力，第一期间的电力水平比与该第一期间交替的第二期间的电力水平高，
所述匹配器构成为，将所述第一期间内的监视期间的所述高频电源的负载侧的阻抗设定为与所述高频电源的输出阻抗不同的阻抗，所述监视期间是在从所述第一期间的开始时间点起经过规定时间长度后开始的期间，
所述高频电源构成为，调整所述高频电力的电力水平以使行波的电力水平与反射波的电力水平之差即负载功率水平成为指定的电力水平。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述匹配器以使所述高频电力的反射系数的绝对值成为指定的值的方式设定所述负载侧的阻抗。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述指定的值为0.3以上且0.5以下的范围内的值。
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