[发明专利]一种坩埚取放装置有效
| 申请号: | 201910287382.3 | 申请日: | 2019-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN110098144B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 万之君 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677;C23C14/24 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 坩埚 装置 | ||
本发明提供了一种坩埚取放装置,其包括取放单元、转接单元和控制单元。其中所述取放单元包括磁盘本体和设置在所述磁盘本体上的把手,其中所述磁盘本体中设置有电磁铁。所述转接单元包括转接盖体以及卡扣件,其中所述转接盖体上设置有磁铁。所述控制单元包括电磁铁开关,用于控制所述电磁铁的打开和关闭。本发明提供了一种坩埚取放装置,其采用创新的磁力吸附方式来进行不同口径坩埚的取放,因其进行磁力吸附的对象为对应坩埚的盖体,而不是坩埚的喷嘴,从而避免了现有技术中因取放坩埚的喷嘴口径不同而导致需要更换对应取放装置的问题。
技术领域
本发明涉及显示面板设备技术领域,尤其是,其中的一种用于取放蒸镀制程设备中使用的坩埚的坩埚取放装置。
背景技术
已知,显示面板中的蒸镀制程即真空热蒸镀制程,其为在真空条件下,加热使材料蒸发或升华为气态粒子,并在基板上沉积成膜的一种工艺。
其中所述蒸镀制程工艺广泛应用于有机发光二极管(OLED)、有机光伏电池(OPV)、电致变色器件(ECD)等产品制备。在器件制备过程一般采用蒸镀工艺制作有机膜层或一些金属层。
具体的,其中制备器件的不同功能层或制备不同的产品时,需要更换不同的蒸镀材料。更换蒸镀材料,需要人员进入蒸镀腔体,采用夹具将蒸镀坩埚取出,添料或换料后再用夹具将坩埚放回对应蒸发源中。
这其中,对于不同口径喷嘴的坩埚,需要更换不同的夹具,才能对应取出。而在实际使用过程中,一个蒸镀腔中会存在多个蒸发源,进而对应使用各不同口径喷嘴的坩埚,因此,进行不同坩埚的取放时,需要对应的反复更换夹具,这种夹具更换操作,明显会降低工作效率。
进一步的,取放坩埚时间的延长,相应的也就增长了蒸镀机开腔时间,易造成蒸镀腔污染。而若腔内有吸水性材料,还会容易造成腔壁残存材料吸水,导致后续影响蒸镀腔的真空环境。而且,取放坩埚时间的延长,也增长了操作人员在蒸镀腔内的停留时间,腔内残存的有机气体或材料粉末存在影响人体健康的安全隐患。
因此,确有必要来开发一种新型的坩埚取放装置,来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种坩埚取放装置,其采用创新的磁力吸附方式来进行不同口径坩埚的取放,因其进行磁力吸附的对象为对应坩埚的盖体,而不是坩埚的喷嘴,从而避免了现有技术中因取放坩埚的喷嘴口径不同而导致需要更换对应取放装置的问题。
本发明采用的技术方案如下:
一种坩埚取放装置,其包括取放单元、转接单元和控制单元。其中所述取放单元包括磁盘本体和设置在所述磁盘本体上的把手,其中所述磁盘本体中设置有电磁铁。所述转接单元包括转接盖体以及卡扣件,其中所述转接盖体上设置有磁铁。所述控制单元包括电磁铁开关,用于控制所述电磁铁的打开和关闭。使用时,其中所述转接单元的转接盖体设置在待取出的坩埚的盖体上并通过所述卡扣件使得两者配接,所述控制单元中的电磁铁开关打开使得所述磁盘本体的电磁铁工作,进而通过所述电磁铁与所述转接盖体上设置的磁铁之间的磁力吸合完成所述坩埚的取出。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述把手为凸起的圆柱状构型。在其他不同实施方式中,其也可以是一个常见的操作把手构型,具体可随需要而定,并无限定。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述电磁铁开关设置在所述把手上。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述电磁铁包括2个或以上数量,这些电磁铁均匀的分布设置在所述磁盘本体中。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述磁盘本体上还设置有高度传感器。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述高度传感器为利用红外监控距离的距离传感器,当其监控的距离达到其内的设定值时,将触发其内部的一个中断,实现一个提示音或提示灯的开启。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





