[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本发明实施例公开一种阵列基板及其制作方法，包括透明基底；第一金属层，设置在所述透明基底上，所述第一金属层包括扫描线和栅极；绝缘层，设置在所述第一金属层上；半导体层，设置在所述绝缘层上；以及第二金属层，设置在所述半导体层上，所述第二金属层包括数据线、源极和漏极；其中，所述扫描线和所述数据线交叉设置形成重叠区域，所述半导体层延伸至所述重叠区域内。本发明可以有效地降低扫描线驱动负载，提高像素充电率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板以及一种阵列基板制作方法。

背景技术

应市场趋势所需，大尺寸液晶显示面板现已发展至高清、高画值和广色域为主的高品值显示屏。随着4K(水平方向每行像素值达到或者接近4096个)解析度面板产品所带来严苛的扫描驱动能力，每一個子像素在60Hz画面显示下，仅用有约7.7微秒充电时间，相较于相同尺寸全高清(Full High Definition，FHD)解析度面板产品在60Hz画面显示下，仅剩一半的有效充电时间，且4K解析度面板扫描线驱动和数据线驱动负载都比相同尺寸FHD解析度面板重许多。在设计4K解析度像素时，如何有效降低扫描线驱动负载，提高像素充电率为液晶面板生成厂家面临的重大课题。

目前，为了降低扫描线和数据线相互影响，在设计上采用减少扫描线和数据线重叠区域的方法，来减小二者重叠产生的寄生电容，且将主动元件如薄膜晶体管远离数据线，在有限的空间内要维持足够高的像素充电率，将需要将扫描线与像素主动元件区往显示区内设计，但这种方法将减少像素的有效开口区，降低像素开口率。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法，以有效地降低了扫描线驱动负载，提高了像素充电率。

一方面，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：透明基底；第一金属层，设置在所述透明基底上，所述第一金属层包括扫描线和栅极；绝缘层，设置在所述第一金属层上；半导体层，设置在所述绝缘层上；以及第二金属层，设置在所述半导体层上，所述第二金属层包括数据线、源极和漏极；其中，所述扫描线和所述数据线交叉设置形成重叠区域，所述半导体层延伸至所述重叠区域内。

在本发明的一个实施例中，所述阵列基板还包括：钝化层，设置在所述第二金属层上且形成有接触孔；以及像素电极层，设置在所述钝化层上并通过所述接触孔连接所述第二金属层。

在本发明的一个实施例中，所述源极包括连接所述数据线并与所述数据线垂直的两条平行线，所述漏极位于所述两条平行线之间。

在本发明的一个实施例中，所述数据线包括环形镂空结构，且所述环形镂空结构至少部分位于所述重叠区域内；或所述数据线包括一侧开口的环形镂空结构，且所述一侧开口的环形镂空结构至少部分位于重叠区域内。

在本发明的一个实施例中，所述第一金属层还包括公共电极配线，所述公共电极配线包括第一线段和两条第二线段，所述第一线段和所述两条第二线段交叉并相互连接。

另一方面，本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法，包括：在透明基底上形成第一金属层，所述第一金属层包括扫描线和栅极；在所述第一金属层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成半导体层；以及在所述半导体层上形成第二金属层；所述第二金属层包括数据线源极和漏极；其中，所述扫描线和所述数据线交叉设置形成重叠区域，所述半导体层延伸至所述重叠区域内。

在本发明的一个实施例中，所述阵列基板的制作方法还包括：在所述第二金属层上形成钝化层、并在所述钝化层中形成接触孔；以及在所述钝化层上形成像素电极层、并使所述像素电极层通过所述接触孔连接所述第二金属层。

在本发明的一个实施例中，所述源极包括连接所述数据线并与所述数据线垂直的两条平行线，所述漏极位于所述两条平行线之间且与所述两条平行线平行。