[发明专利]一种凸块结构及其制备方法有效
申请号: | 201910277516.3 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN110034025B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 郭裕东 | 申请(专利权)人: | 合肥奕斯伟集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 230012 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种凸块结构及其制备方法。该凸块结构的制备方法包括:在凸点下金属化层上形成第一防蚀刻层;在第一防蚀刻层中形成多个第一开口;对第一开口下方的凸点下金属化层进行蚀刻,形成凸点下金属化图案层;其中,凸点下金属化图案层暴露出焊盘上方未设置有钝化层的第一区域,并覆盖焊盘上方未设置有钝化层的第二区域。本发明将焊盘上方未设有钝化层的部分区域上方的凸点下金属化层去除掉,防止因为气体的存在导致凸块上表面大多数区域无法与基板键合,避免接触不良的现象,提高产品可靠性,并且改善凸块的粗糙度和平整度。
技术领域
本发明涉及半导体封装结构,特别是涉及一种凸块结构及其制备方法。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展,电子产品也逐渐进入多功能、高性能的研发方向。为满足半导体元件高积集度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的要求,半导体封装结构的各项要求也越来越高。
为了进一步改善封装结构的各项特性,相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的封装结构,实属当前重要研发课题之一,也成为当前相关领域亟需改进的目标。现有的封装结构中,因凸块远离焊盘的表面呈现四周高中间低的状况,在后续封装时,因四周先键合在一起,导致中间的气体无法排除,使产品可靠度降低。
发明内容
本发明主要的目的是提供一种凸块结构及其制备方法,能够让凸块结构更好的与基板键合,增加产品可靠度。
为达到上述目的,本发明采用的一个技术方案是:提供一种凸块结构的制备方法,该方法包括:
在凸点下金属化层上形成第一防蚀刻层;
在第一防蚀刻层中形成多个第一开口;
对第一开口下方的凸点下金属化层进行蚀刻,形成凸点下金属化图案层;
其中,凸点下金属化图案层覆盖焊盘上方未设置有钝化层的第一区域,并暴露出焊盘上方未设置有钝化层的第二区域。
其中,在第一防蚀刻层中形成多个第一开口步骤包括:
第一防蚀刻层为光刻胶层,对第一防蚀刻层进行曝光显影,以在第一防蚀刻层上形成第一开口;
或第一防蚀刻层为压印胶层,对第一防蚀刻层进行压印,以在第一防蚀刻层上形成第一开口。
其中,所述在所述凸点下金属化图案层上形成焊料层,以得到覆盖所述第一区域上方设置的所述凸点下金属化图案层和所述第二区域的凸块,包括:
去除第一防蚀刻层;
在凸点下金属化图案层上形成焊料层;
在焊料层上形成第二防蚀刻层;
在第二防蚀刻层上形成多个第二开口,以形成第二防蚀刻图案层;
对第二开口下方的焊料层进行蚀刻,以得到多个凸块;
去除第二防蚀刻层。
其中,所述在所述凸点下金属化图案层上形成焊料层,以得到覆盖所述第一区域上方设置的所述凸点下金属化图案层和所述第二区域的凸块,包括:
去除第一防蚀刻层;
在凸点下金属化图案层上形成第二防蚀刻层;
在第二防蚀刻层上形成多个第二开口;
通过电镀或模板印刷将焊料填充到第二开口处以形成凸块;
去除第二防蚀刻层。
其中,第二开口暴露出焊盘上方未设有钝化层的区域设置的凸点下金属化图案层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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