[发明专利]一种凸块结构及其制备方法有效
申请号: | 201910277516.3 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN110034025B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 郭裕东 | 申请(专利权)人: | 合肥奕斯伟集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 230012 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种凸块结构的制备方法,其特征在于:
在凸点下金属化层上形成第一防蚀刻层;
在所述第一防蚀刻层中形成多个第一开口;
对所述第一开口下方的所述凸点下金属化层进行蚀刻,形成凸点下金属化图案层,其中,所述凸点下金属化图案层覆盖焊盘上方未设置有钝化层的第一区域,并暴露出焊盘上方未设置有钝化层的第二区域;
在所述凸点下金属化图案层上形成焊料层,以得到覆盖所述第一区域上方设置的所述凸点下金属化图案层和所述第二区域的凸块。
2.根据权利要求1所述的凸块结构的制备方法,其特征在于:
所述在所述第一防蚀刻层中形成多个第一开口步骤包括:
所述第一防蚀刻层为光刻胶层,对所述第一防蚀刻层进行曝光显影,以在所述第一防蚀刻层上形成所述第一开口;或
所述第一防蚀刻层为压印胶层,对所述第一防蚀刻层进行压印,以在所述第一防蚀刻层上形成所述第一开口。
3.根据权利要求1所述的凸块结构的制备方法,其特征在于:
所述在所述凸点下金属化图案层上形成焊料层,以得到覆盖所述第一区域上方设置的所述凸点下金属化图案层和所述第二区域的凸块,包括:
去除所述第一防蚀刻层;
在所述凸点下金属化图案层上形成焊料层;
在所述焊料层上形成第二防蚀刻层;
在所述第二防蚀刻层上形成多个第二开口,以形成第二防蚀刻图案层;
对所述第二开口下方的所述焊料层进行蚀刻,以得到多个凸块;
去除所述第二防蚀刻层。
4.根据权利要求1所述的凸块结构的制备方法,其特征在于:
所述在所述凸点下金属化图案层上形成焊料层,以得到覆盖所述第一区域上方设置的所述凸点下金属化图案层和所述第二区域的凸块,包括:
去除所述第一防蚀刻层;
在所述凸点下金属化图案层上形成第二防蚀刻层;
在所述第二防蚀刻层上形成多个第二开口;
通过电镀或模板印刷将焊料填充到所述第二开口处以形成凸块;
去除所述第二防蚀刻层。
5.根据权利要求4所述的凸块结构的制备方法,其特征在于:
所述第二开口暴露出所述焊盘上方未设有所述钝化层的区域设置的所述凸点下金属化图案层。
6.根据权利要求3所述的凸块结构的制备方法,其特征在于:
所述第二防蚀刻图案层覆盖所述焊盘上方未设有所述钝化层的区域设置的所述凸点下金属化图案层。
7.根据权利要求3或4所述的凸块结构的制备方法,其特征在于:
所述在所述第二防蚀刻层上形成多个第二开口步骤包括:所述第二防蚀刻层为压印胶层,对所述第二防蚀刻层进行压印,以在所述第二防蚀刻层上形成第二开口;或
所述在所述第二防蚀刻层上形成多个第二开口步骤包括:所述第二防蚀刻层为光刻胶层,对所述第二防蚀刻层进行曝光显影,以在所述第二防蚀刻层上形成第二开口。
8.一种凸块结构,其特征在于,其包括:
晶片;
焊盘,其设置在所述晶片的有源表面上;
钝化层,其覆盖所述晶片的所述有源表面且暴露出至少部分所述焊盘;
凸点下金属化图案层,其覆盖所述焊盘上方未设置有所述钝化层的第一区域,并且暴露出所述焊盘上方未设置有所述钝化层的第二区域;
凸块,其覆盖所述第二区域和所述第一区域上方设置的所述凸点下金属化图案层。
9.根据权利要求8所述的凸块结构,其特征在于:
所述焊盘上方未设有所述钝化层的区域包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域,所述第一区域是中间区域,所述第二区域是周边区域。
10.根据权利要求8所述的凸块结构,其特征在于:
所述凸点下金属化图案层还暴露出所述钝化层靠近所述焊盘的区域;
所述凸块覆盖所述钝化层靠近所述焊盘的区域。
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