[发明专利]三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法有效
| 申请号: | 201910275784.1 | 申请日: | 2019-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN109980028B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
| 发明(设计)人: | 刘欢;刘卫国;白民宇;韩军;舒利利;敬娟;王卓曼;邓立儿 | 申请(专利权)人: | 西安工业大学 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 何会侠 |
| 地址: | 710021 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 三维 微结构 表面 诱导 制备 透明 导电 纳米 网格 薄膜 方法 | ||
本发明公开了三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米网格薄膜的方法,在基底上表面加工出三维微结构,将导电纳米线加入不导电分散剂中充分混合形成分散液,将所得基底上表面向上置于分散液中并缓慢向上提拉,在提拉过程中,分散液中的导电纳米线靠近基底上表面的三维微结构表面,并被该表面的静电荷吸附而附着在该表面,随着提拉距离增加,三维微结构表面导电纳米线逐渐积累,相互搭接形成网格薄膜;该网格薄膜厚度达到要求后从分散液中取出基底,并用激光焊接方式增强导电纳米线之间的连接力以及导电纳米线和三维微结构表面的附着力;所得网格的网孔可以透光,而构成网格导电纳米线可以形成电通路,即实现三维微结构表面透明导电纳米网格薄膜的制备。
技术领域
本发明属于光电探测技术领域,具体涉及三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法。
背景技术
光电探测器的作用是将光学信号转变成电学信号,其基本原理是敏感材料在光波作用下产生光生载流子,所产生的的光生载流子被电极收集向外电路流出形成光电流。光电探测器具有广泛用途,例如成像、探测、工业自动控制和光度计量等。在光电探测器中,电极是必不可少的元件。目前广泛应用的多数光电探测器中的电极是制作在平面结构上的,是一种成熟技术。然而随着光电探测器件的发展,在三维微结构表面制作透明电极成为重要需求,这需要解决复杂曲面的连续覆盖问题以及电极透明两个问题。常用的溅射、蒸镀等方法可以在一定范围内实现台阶覆盖等三维微结构表面金属薄膜电极制备。然而金属薄膜厚度太小则难以形成可靠的连续电通路,电阻急剧增大,厚度大则透光率明显减小,难以兼顾良好的透光率和可靠的电通路。
发明内容
为解决以上问题,本发明提出一种在三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法,该方法可以在多种三维微结构表面制备连续覆盖的透明导电薄膜,所得透明导电薄膜质量高,制备效率高,成本低。
为实现以上目的,本发明采用如下方案。
三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法,包括以下步骤。
制备上表面具有三维微结构2的基底1,并使三维微结构2表面带静电荷:首先在基底1上表面加工出三维微结构2,构成基底1的材料为半导体或绝缘体;或者在导体材料构成的基底1上表面的三维微结构2的表面覆盖一层半导体或绝缘体,总之所述的三维微结构2的表面材料为半导体或者绝缘体。采用电晕荷电等方式让三维微结构2表面带静电荷,静电荷被束缚在表面附近。
制备分散质为导电纳米线4的分散液3:在绝缘的容器内盛放不导电的易挥发分散剂,将导电纳米线4加入不导电的易挥发分散剂中,通过超声振荡等方式在易挥发分散剂中形成导电纳米线4的分散液3。所述的导电纳米线4为碳纳米管或者导电金属纳米线等,可根据导电纳米线4材料密度不同选择不同的易挥发溶剂。
采用电诱导方式在三维微结构2表面附着导电纳米线:将上表面具有三维微结构2的基底1浸没在分散液3中,基底1上表面向上,然后缓慢向上平行提拉基底1,使导电纳米线4均匀的靠近并附着在三维微结构2表面;三维微结构2表面的电荷在分散液中建立静电场,分散液中三维微结构2表面附近的导电纳米线在静电场的作用下发生极化并在三维微结构2表面电荷的静电吸引力作用下向着三维微结构2表面运动直到附着在该表面。附着到三维微结构2表面的导电纳米线随机搭接,构成网格薄膜5,网格中间是网孔,其网孔尺寸与导电纳米线长度及导电材料纳米线悬浮液的浓度有关,网孔可以透过光波,网格线能够导电。
待所述导电纳米线4构成的网格薄膜5厚度满足要求后,将基底1提拉出液面,进行烘干,烘干后采用激光对导电纳米线4构成的网格薄膜5进行焊接。
该方法适用范围广,基底1上表面的三维微结构可以是多种形状,例如方柱阵列、圆柱阵列、棱台阵列、圆锥阵列、尖锥阵列、黑硅等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





