[发明专利]三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法

权利要求书

1.三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：

在基底(1)上表面加工出三维微结构(2)，然后采用电晕荷电的方式使所述三维微结构(2)表面带静电荷；

采用导电纳米线(4)与不导电液体分散剂配制以导电纳米线(4)为分散质的分散液(3)；

将基底(1)上表面向上置于分散液(3)中并缓慢向上提拉，使所述分散液(3)中的导电纳米线(4)靠近三维微结构(2)表面并被该表面的静电荷吸附，从而附着在该表面；

三维微结构(2)表面附着的导电纳米线(4)相互随机搭接形成网格薄膜(5)，该网格薄膜(5)厚度达到要求后，将基底(1)提拉出分散液(3)的液面，对基底(1)进行烘干，然后用激光焊接方式增强导电纳米线之间的连接力以及导电纳米线和三维微结构表面的附着力；网格薄膜(5)的网格中间是网孔，其网孔尺寸与导电纳米线(4)长度及所述分散液(3)的浓度有关，网孔能够透过光波，网格线能够导电，即实现三维微结构(2)表面电诱导制备透明导电纳米网格薄膜的制备。

2.根据权利要求1所述三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法，其特征在于：所述的三维微结构(2)的表面材料为绝缘体或者半导体。

3.根据权利要求1所述三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法，其特征在于：所述的导电纳米线(4)为碳纳米管或者导电金属纳米线。

4.根据权利要求1所述三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法，其特征在于：所述的基底(1)上表面的三维微结构(2)的形状为方柱阵列、圆柱阵列、棱台阵列、尖锥阵列或黑硅。

5.根据权利要求1所述三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法，其特征在于：根据所要制备网格薄膜(5)的厚度确定所述分散液(3)的浓度、基底(1)在分散液(3)中的浸没深度及浸没时间。

6.根据权利要求1所述三维微结构表面电诱导制备透明导电纳米线网格薄膜的方法，其特征在于：选择不同长度的导电纳米线(4)能够实现不同的透光性能和导电性能。