[发明专利]极板间距调节装置及调节设备

说明书

本揭示提供一种极板间距调节装置及调节设备。极板间距调节装置包括上极板、与上极板相对的下极板、连接装置以及单元驱动装置。连接装置连接下极板与单元驱动装置。下极板还包括单元极板。单元极板在静止时位于同一平面内，每个单元极板对应连接连接装置，单元极板通过连接装置上下调节来改变与上极板之间的距离，进而调节异常电场的电场强度，保证腔体内电场强度的一致，提高成膜质量。

技术领域

本揭示涉及制造技术领域，尤其涉及一种极板间距调节装置及调节设备。

背景技术

等离子体化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)设备被广泛应用于显示基板上的非晶硅薄膜成型、半导体装置中的晶体管元件成型以及集成电路的成型过程中。CVD设备，已经成为现有光电子产业及高新制造业发展中不可或缺的半导体制造设备。

在制造半导体薄膜时，CVD设备内的原料气体和运载气体通过不同的通道扩散进入反应室，然后被激发为等离子体并沉积在基板表面。现有工艺中CVD设备中极板的间距对沉积成膜有重要的影响，间距太大，离子沉积速度过快，出现未沉积颗粒问题；间距太小，强气流直接冲击基板，离子来不及沉积。同时，现有的CVD设备机台中的上下极板为整片式的结构，在生产过程中，由于工况不同，薄膜中的电场强度也会不同，而整片式极板上的电场是一样的，这样就造成了极板不能有效的对局部的电场进行调节，这些未得到调节的区域在薄膜成型时会出现严重不良情况，进而影响整个薄膜的成品率，从而增加生产成本。

综上所述，现有的CVD设备机台中的上下极板结构为整片式结构，这种整片式的结构不能有效调整上下极板之间的间距，进而不能有效的对局部不同的电场强度进行调节，无法解决腔室内电场强度不均的问题，造成薄膜成型一致性差，成品率低等问题，因此，需要提出进一步的完善和改进方案。

发明内容

本揭示提供一种极板间距调节装置及调节设备，以解决现有设备中整片式的极板结构不能有效调节上下极板的间距，无法对局部电场进行调节以及无法保证腔室电场一致性的问题。

为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：

根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种极板间距调节装置，包括：

上极板、与上极板相对的下极板、连接装置以及单元驱动装置，

所述连接装置连接所述下极板与所述单元驱动装置；

其中，所述下极板包括复数个单元极板，所述单元极板在静止时位于同一平面内，每个所述单元极板对应连接所述连接装置，所述单元极板通过所述连接装置上下调节。

根据本揭示一实施例，还包括加热装置，所述加热装置设置在所述单元极板内。

根据本揭示一实施例，所述加热装置为可控式电阻丝。

根据本揭示一实施例，所述连接装置为伸缩杆或弹性装置。

根据本揭示一实施例，所述单元极板的截面为矩形。

根据本揭示一实施例，每个所述单元极板接地。

根据本揭示一实施例，所述下极板的上表面积不小于所述上极板的下表面积。

根据本揭示一实施例，所述单元驱动装置用于控制所述连接装置。

根据本揭示一实施例，每个所述单元极板的表面积相同。

根据本揭示实施例的第二方面，还提供了一种调节设备，所述调节设备内包含本揭示实施例中提供的极板间距调节装置。

综上所述，本揭示实施例的有益效果为：