[发明专利]像素界定层及其制备方法和包含它的显示基板和显示装置有效
申请号: | 201910275204.9 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN109994532B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 石守磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 李华;崔香丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 及其 制备 方法 包含 显示 显示装置 | ||
像素界定层及其制备方法和包含它的显示基板和显示装置。本发明提供一种像素界定层,包括限定多个像素区域的堤部,所述堤部包括紧邻基底的所述堤部的下部及其上的所述堤部的上部,其中所述堤部的上部依次层叠有第一无机材料图案层和在所述第一无机材料图案层上自组装单分子层形成的疏液图案层;和/或所述堤部的下部依次层叠有第二无机材料图案层和在所述第二无机材料图案层上自组装单分子层形成的亲液图案层。本发明通过在传统PDL表面包覆沉积一层无机材料的方法,形成的无机材料可以仅形成薄薄的一层,解决了传统不同材料交替成膜时,无机材料厚度过厚的问题,从而提高设备利用率及产能。同时,通过自组装单分子进行像素界定层的表面改性,从而实现改善表面的亲/疏液性能的目的。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素界定层及其制备方法和包含它的显示基板和显示装置。
背景技术
在打印过程中,为了实现基底亲液,像素界定层(PDL)疏液的目的,或者成膜区域侧壁亲液,非成膜区域疏液的目的,通常对材料进行严苛的要求,但在目前的材料中,经清洗后,其接触角一般均在90°以下,一般只能达到50°。
美国专利US6476988B1提出了利用多种不同性质材料依次叠层进行PDL的构筑,但工艺过于复杂,每一层的制备都需要一道光刻步骤;而且需要含氟等离子的配合。不同材料叠层的结构,尤其是无机层结构,需要用PECVD等设备进行沉积,而PDL厚度较厚,沉积需要消耗大量的时间,影响产能。
目前最常规表面的疏液处理,即用含氟等离子处理PDL表面从而增加表面的疏液性。然而由于等离子的特性,其性能保持的时间太短,从而在面对较长时间的制程工艺或者较高温度的退火工艺时,就可能会出现失效的问题。
发明内容
为了克服上述缺陷,本发明提供一种像素界定层及其制备方法和包括它的显示基板。
本发明提供一种像素界定层,包括限定多个像素区域的堤部,所述堤部包括紧邻基底的所述堤部的下部及其上的所述堤部的上部,其中所述堤部的上部依次层叠有第一无机材料图案层和在所述第一无机材料图案层上自组装单分子层形成的疏液图案层;和/或所述堤部的下部依次层叠有第二无机材料图案层和在所述第二无机材料图案层上自组装单分子层形成的亲液图案层。
根据本发明一实施方式,所述第一无机材料图案层和所述第二无机材料图案层由SiO2、SiNx、SiON中的一种或多种形成。
根据本发明另一实施方式,所述疏液图案层由过氟辛基三氯硅烷自组装形成。
根据本发明另一实施方式,所述亲液图案层由十八烷基三氯硅烷通过自组装方式形成。
本发明还提供一种像素界定层的制备方法,所述像素界定层包括限定多个像素区域的堤部,所述堤部包括紧邻基底的所述堤部的下部及其上的所述堤部的上部,所述方法包括:在所述堤部的上部形成第一无机材料图案层;在所述第一无机材料图案层上自组装单分子层形成疏液图案层;和/或在所述堤部的下部形成第二无机材料图案层;在所述第二无机材料图案层上自组装单分子层形成亲液图案层。
根据本发明的一实施方式,所述形成第一无机材料图案层包括:在基底上形成光敏树脂层;图案化所述光敏树脂层,露出所述堤部的上部;在所述堤部的上部形成第一无机材料图案层;继续图案化所述光敏树脂层,形成所述像素界定层堤部的下部。
根据本发明的另一实施方式,所述形成第一无机材料图案层包括:在基底上形成所述像素界定层的堤部;涂敷光刻胶层,所述堤部的下部埋设于所述光刻胶层内、所述堤部的上部露出;在所述堤部的上部形成第一无机材料图案层;除去所述光刻胶层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的