[发明专利]像素界定层及其制备方法和包含它的显示基板和显示装置有效
| 申请号: | 201910275204.9 | 申请日: | 2019-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN109994532B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
| 发明(设计)人: | 石守磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 李华;崔香丹 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 界定 及其 制备 方法 包含 显示 显示装置 | ||
1.一种像素界定层的制备方法,所述像素界定层包括限定多个像素区域的堤部,所述堤部包括紧邻基底的所述堤部的下部及其上的所述堤部的上部,所述方法包括:
在所述堤部的上部形成第一无机材料图案层;
在所述第一无机材料图案层上自组装单分子层形成疏液图案层;其中,所述形成第一无机材料图案层包括:
在基底上形成光敏树脂层;
图案化所述光敏树脂层,露出所述堤部的上部;
在所述堤部的上部形成第一无机材料图案层;
继续图案化所述光敏树脂层,形成所述像素界定层堤部的下部。
2.一种像素界定层的制备方法,所述像素界定层包括限定多个像素区域的堤部,所述堤部包括紧邻基底的所述堤部的下部及其上的所述堤部的上部,所述方法包括:
在所述堤部的上部形成第一无机材料图案层;
在所述第一无机材料图案层上自组装单分子层形成疏液图案层;
其中,所述形成第一无机材料图案层包括:
在基底上形成所述像素界定层的堤部;
涂敷光刻胶层,所述堤部的下部埋设于所述光刻胶层内、所述堤部的上部露出;
在所述堤部的上部形成第一无机材料图案层;
除去所述光刻胶层。
3.一种像素界定层的制备方法,所述像素界定层包括限定多个像素区域的堤部,所述堤部包括紧邻基底的所述堤部的下部及其上的所述堤部的上部,所述方法包括:
在所述堤部的下部形成第二无机材料图案层;
在所述第二无机材料图案层上自组装单分子层形成亲液图案层;
其中,所述形成第二无机材料图案层包括:
在基底上形成所述像素界定层的堤部;
形成无机材料层于所述堤部和所述基底的表面;
除去形成在所述基底表面的所述无机材料层部分;
涂敷光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述堤部的下部和第二无机材料图案层、露出所述堤部的上部和第一无机材料图案层;
除去所述第一无机材料图案层;
除去所述光刻胶层。
4.一种像素界定层的制备方法,其特征在于,所述像素界定层包括限定多个像素区域的堤部,所述堤部包括紧邻基底的所述堤部的下部及其上的所述堤部的上部,所述堤部的上部依次层叠有第一无机材料图案层和在所述第一无机材料图案层上自组装单分子层形成的疏液图案层;和所述堤部的下部依次层叠有第二无机材料图案层和在所述第二无机材料图案层上自组装单分子层形成的亲液图案层,所述制备方法包括:
在基底上形成所述像素界定层的堤部;
形成无机材料层于所述堤部和所述基底的表面;
除去形成在所述基底表面的所述无机材料层部分;
涂敷光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述堤部的下部和第二无机材料图案层、露出所述堤部的上部和所述第一无机材料图案层;
在所述第一无机材料图案层上自组装单分子层形成疏液图案层;
除去所述光刻胶层;
在所述第二无机材料图案层上自组装单分子层形成亲液图案层。
5.根据权利要求3或4所述的像素界定层的制备方法,其特征在于,所述第一无机材料图案层和所述第二无机材料图案层由SiO2、SiNx、SiON中的一种或多种形成。
6.根据权利要求3或4所述的像素界定层的制备方法,其特征在于,和所述第二无机材料图案层由SiO2、SiNx、SiON中的一种或多种形成。
7.根据权利要求1,2或4所述的像素界定层的制备方法,其特征在于,所述疏液图案层由过氟辛基三氯硅烷自组装形成。
8.根据权利要求3或4所述的像素界定层的制备方法,其特征在于,所述亲液图案层由十八烷基三氯硅烷自组装形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





