[发明专利]电容器及其制作方法、存储装置

说明书

本公开是关于一种电容器及其制作方法、存储装置，所述电容器制作方法包括：提供一基底，并在所述基底上形成接触层，所述接触层远离所述基底的表面包括至少一个接触区，所述接触区远离所述基底的表面具有至少两级阶梯结构；形成覆盖所述接触层的支撑层；在所述支撑层上形成一一对应的露出各所述接触区的容置孔；在各所述容置孔内形成第一电极、第二电极以及分隔第一电极和第二电极的介质层，所述第一电极和所述接触区接触。

技术领域

本公开涉及存储器技术领域，具体而言，涉及一种电容器及其制作方法、存储装置。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)单元包括用于存储电荷的电容器和存取电容器的晶体管。随着技术的发展和进步动态随机存取存储器的尺寸呈现小型化趋势，其内部的电容器随着几何尺寸按照摩尔定律不断减小，电容接触点与电容电极的接触电阻不断增大。由于电容接触点和电容电极接触电阻的增大，导致电容器的性能降低，比如容电量减小、能耗增加等问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种电容器及其制作方法、存储装置，进而至少在一定程度上克服由于相关技术中电容接触点和电容电极接触电阻的增大，导致电容器的性能降低的问题。

根据本公开的一个方面，提供一种电容器制作方法，所述电容器制作方法包括：

提供一基底，并在所述基底上形成接触层，所述接触层包括至少一个接触区，各所述接触区远离所述基底的表面均具有至少两级阶梯结构；

形成覆盖所述接触层的支撑层；

在所述支撑层上形成一一对应的露出各所述接触区的容置孔；

在各所述容置孔内形成第一电极、第二电极以及分隔第一电极和第二电极的介质层，所述第一电极和所述接触区接触。

根据本公开的一实施方式，在所述基底上形成接触层，包括：

在所述基底上沉积接触层材料；

对所述接触层材料图案化，在远离所述基底的表面形成具有至少两级阶梯结构的若干所述接触区以构成所述接触层。

根据本公开的一实施方式，在各所述容置孔内形成第一电极、第二电极以及分隔第一电极和第二电极的介质层，包括：

在所述容置孔内壁和所述支撑层远离所述基底的一面依次沉积第一电极材料层、介质材料层、第二电极材料层、介质材料层和第一电极材料层，形成第一中间电容；

在所述第一中间电容远离所述基底的一端面进行减薄，直至暴露出所述支撑层，形成第一子电极、第一介质层、第四子电极、第二介质层和第二子电极；

对部分所述第四子电极进行减薄，并在减薄区域填充绝缘材料，形成第三绝缘层；

在所述第一子电极和所述第二子电极远离所述基底的端面沉积第一电极材料，形成第三子电极，以连接所述第一子电极和第二子电极。

根据本公开的一实施方式，所述电容器制作方法还包括：

在所述第三子电极表面形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述基底的一侧沉积第五子电极，所述第五子电极和所述第四子电极连接。

根据本公开的一实施方式，在沉积所述第五子电极之前，还包括：

对所述第一子电极的预设区域进行减薄，并在减薄区沉积绝缘材料形成第二绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述基底的一侧沉积第五子电极，第五子电极和所述第四子电极连接，包括：