[发明专利]电容器及其制作方法、存储装置

权利要求书

1.一种电容器制作方法，其特征在于，所述电容器制作方法包括：

提供一基底，并在所述基底上形成接触层，所述接触层包括至少一个接触区，各所述接触区远离所述基底的表面均具有至少两级阶梯结构；

形成覆盖所述接触层的支撑层；

在所述支撑层上形成一一对应的露出各所述接触区的容置孔；

在各所述容置孔内形成第一电极、第二电极以及分隔第一电极和第二电极的介质层，所述第一电极和所述接触区接触。

2.如权利要求1所述的电容器制作方法，其特征在于，在所述基底上形成接触层，包括：

在所述基底上沉积接触层材料；

对所述接触层材料图案化，在远离所述基底的表面形成具有至少两级阶梯结构的若干所述接触区以构成所述接触层。

3.如权利要求1所述的电容器制作方法，其特征在于，在各所述容置孔内形成第一电极、第二电极以及分隔第一电极和第二电极的介质层，包括：

在所述容置孔内壁和所述支撑层远离所述基底的一面依次沉积第一电极材料层、介质材料层、第二电极材料层、介质材料层和第一电极材料层，形成第一中间电容；

在所述第一中间电容远离所述基底的一端面进行减薄，直至暴露出所述支撑层，形成第一子电极、第一介质层、第四子电极、第二介质层和第二子电极；

对部分所述第四子电极进行减薄，并在减薄区域填充绝缘材料，形成第三绝缘层；

在所述第一子电极和所述第二子电极远离所述基底的端面沉积第一电极材料，形成第三子电极，以连接所述第一子电极和第二子电极。

4.如权利要求3所述的电容器制作方法，其特征在于，所述电容器制作方法还包括：

在所述第三子电极表面形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述基底的一侧沉积第五子电极，所述第五子电极和所述第四子电极连接。

5.如权利要求4所述的电容器制作方法，其特征在于，在沉积所述第五子电极之前，还包括：

对所述第一子电极的预设区域进行减薄，并在减薄区沉积绝缘材料形成第二绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述基底的一侧沉积第五子电极，第五子电极和所述第四子电极连接，包括：

在所述第一绝缘层远离所述基底的一侧沉积第五子电极，第五子电极和所述第四子电极连接，第二绝缘层分隔所述第五子电极和所述第一子电极。

6.如权利要求4所述的电容器制作方法，其特征在于，在所述第三子电极表面形成第一绝缘层，包括：

在第三子电极两侧形成第一子绝缘层；

在所述第三子电极远离所述基底的一侧形成第二子绝缘层，所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层连接。

7.一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：

基底；

接触层，设于所述基底，所述接触层包括至少一个接触区，各所述接触区远离所述基底的表面具有至少两级阶梯结构；

支撑层，设于所述基底，并且覆盖所述接触层，所述接触层上形成有一一对应的露出各所述接触区的容置孔；

第一电极，形成于所述容置孔内，并且和对应的所述接触区的所述阶梯结构接触；

第二电极，和所述第一电极相对设置；

介质层，形成于所述第一电极和第二电极之间。

8.如权利要求7所述的电容器，其特征在于，所述第一电极包括：

第一子电极，为顶部开口的空心桶状结构，其底部闭合且和所述接触层连接；

第二子电极，设置于所述第一子电极内，所述第一子电极和所述第二子电极之间具有间隙；

第三子电极，设于所述第一子电极的顶部，用于连接所述第一子电极和第二子电极。

9.如权利要求8所述的电容器，其特征在于，所述介质层包括：

第一介质层，形成于所述第一子电极的内壁；

第二介质层，形成于所述第二子电极的表面，所述第一介质层和所述第二介质层之间具有间隙。