[发明专利]曝光装置和制造物品的方法有效
| 申请号: | 201910263549.2 | 申请日: | 2019-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN110347015B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 松田丰;玉置公寿 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杨小明 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 曝光 装置 制造 物品 方法 | ||
本发明涉及曝光装置和制造物品的方法。本发明提供了一种曝光装置,所述曝光装置包括被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记的形成单元,以及控制单元,该控制单元被配置为通过基于标记的测量位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像,其中,在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前,控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理,以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。
技术领域
本发明涉及一种曝光装置和制造物品的方法。
背景技术
当要通过使用光刻技术制造设备(半导体设备,液晶显示设备,薄膜磁头等)时,使用曝光装置,该曝光装置通过经由投影光学系统将掩模(中间掩模(reticle))的图案投影到已经涂覆有光致抗蚀剂的基板上,来将该图案转印到涂覆有光致抗蚀剂的基板。
近年,在日本专利公报第11-307449号中已经提出了一种曝光装置,该曝光装置通过在单层上多次执行曝光处理并在不执行显影处理的情况下将在各个曝光处理中形成的潜像图案加起来,来形成单层图案。在这种曝光装置中,在执行第一曝光处理之前形成对准(AMF:Alignment Mark Former,对准标记形成器)标记,并且基于这些对准标记来管理(控制)在各个曝光处理中形成的潜像图案的相对位置。
在曝光装置中,可能存在在基板上涂覆的光致抗蚀剂(即,抗蚀剂膜)中或在曝光处理时的曝光条件(曝光状态)中发生异常的情况。在这种情况下,执行从基板去除已经涂覆的抗蚀剂膜并在基板上再次涂覆(再次生成)抗蚀剂膜的处理,以防止在从该基板制造的设备中产生缺陷。这种经过抗蚀剂膜再次生成的基板被称为“返工基板(reworkedsubstrate)”并被再次使用。
然而,在一些情况下,在返工之前形成的对准标记的影响可能会保留在返工的基板中。这是因为由于对准标记的形成而导致基板表面的性质可能已经改变。因此,由于在返工之前形成的对准标记的影响,在返工基板上再次形成的对准标记的检测精度会降低,并且会变得无法检测再次形成的对准标记。
发明内容
本发明提供一种有利于再次使用返工基板的曝光装置。
根据本发明的第一方面,提供了一种曝光装置,所述曝光装置包括:形成单元,被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记;测量单元,被配置为测量由形成单元形成的标记的位置;以及控制单元,被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像,其中,在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前,控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理,以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。
根据本发明的第二方面,提供了一种曝光装置,所述曝光装置包括:形成单元,被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记;测量单元,被配置为测量由形成单元形成的标记的位置;以及控制单元,被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像,其中,控制单元确定测量单元是否能够测量到形成在抗蚀剂膜上的第一标记的位置,当测量单元不能测量到第一标记的位置时,控制形成单元在抗蚀剂膜上的偏离第一标记的位置的位置处形成第二标记,并且基于由测量单元测量的第二标记的位置来控制曝光处理。
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