[发明专利]曝光装置和制造物品的方法

权利要求书

1.一种曝光装置，其特征在于，包括：

形成单元，被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记；

测量单元，被配置为测量由形成单元形成的标记的位置；以及

控制单元，被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，

其中，在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前，控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理，以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，在形成处理中，控制单元使形成单元在第二抗蚀剂膜上形成至少三个第二标记。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，控制单元执行形成处理，使得要形成在第二抗蚀剂膜上的所述至少三个第二标记之间的距离将长于预先确定的距离。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，在形成处理中，控制单元使形成单元在第二抗蚀剂膜上形成多个第二标记，所述多个第二标记的数量等于在第一抗蚀剂膜上形成的多个第一标记的数量。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，控制单元执行形成处理，使得要在第二抗蚀剂膜上形成的所述多个第二标记之间的相对距离等于在第一抗蚀剂膜上形成的所述多个第一标记之间的相对距离。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，在形成处理中，控制单元使形成单元在第二抗蚀剂膜上形成第二标记，以使在返工基板上第二标记的位置与第一标记的位置不重叠。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，在形成处理中，控制单元使形成单元在第二抗蚀剂膜上形成第二标记，使得形成在第一抗蚀剂膜上的第一标记的位置落在当要通过测量单元测量第二标记的位置时测量单元的测量范围之外。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，形成单元通过使用与用于形成潜像的光的波长不同的波长的光在第二抗蚀剂膜上形成第二标记。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，第一标记是通过形成单元在第一抗蚀剂膜上形成的。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，第一标记由与所述曝光装置不同的装置形成，并且

控制单元从其他装置获得与在第一抗蚀剂膜上形成的第一标记的位置有关的位置信息，并且

在形成处理中，控制单元使形成单元基于所述位置信息在第二抗蚀剂膜上形成第二标记。

11.一种曝光装置，其特征在于，包括：

形成单元，被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记；

测量单元，被配置为测量由形成单元形成的标记的位置；以及

控制单元，被配置为通过基于由测量单元测量的标记的位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，

其中，控制单元

确定测量单元是否能够测量到形成在抗蚀剂膜上的第一标记的位置，

当测量单元不能测量到第一标记的位置时，控制形成单元在抗蚀剂膜上的偏离第一标记的位置的位置处形成第二标记，并且

基于由测量单元测量的第二标记的位置来控制曝光处理。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，第一标记是通过形成单元在抗蚀剂膜上形成的。