[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，能够抑制对晶片实施等离子加工时产生放电，从而能够防止器件的破损。一种晶片的加工方法，该晶片在间隔道上形成有含有金属层的图案，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：沿着形成有图案的间隔道照射激光束，将图案去除并且形成深度超过晶片的完工厚度的激光加工槽；将保护部件粘贴于形成有激光加工槽的晶片的正面侧；对晶片的背面侧进行磨削而将晶片薄化至完工厚度并使激光加工槽在晶片的背面露出，从而将晶片分割成多个器件芯片；将通过晶片的磨削而形成于晶片的背面侧的破碎层去除；以及通过使用了惰性气体的等离子加工在破碎层已被去除的晶片的背面侧形成应变层。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，该晶片在间隔道上形成有含有金属层的图案。

背景技术

将在正面上形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)等器件的晶片沿着间隔道(分割预定线)进行分割，从而得到分别包含器件的多个器件芯片。该晶片的分割例如使用安装有对晶片进行切削的圆环状的切削刀具的切削装置来进行。使切削刀具旋转而沿着间隔道切入至晶片，从而对晶片进行切削、分割。

通过晶片的分割而得到的器件芯片内置于各种电子设备中，近年来，随着电子设备的小型化、薄型化，也要求器件芯片小型化、薄型化。因此，使用利用磨削磨具对晶片的背面进行磨削而使器件芯片薄化的方法。

当利用磨削磨具对晶片的背面进行磨削时，在所磨削的区域形成微细的凹凸或裂纹。当存在形成有该凹凸或裂纹的区域(破碎层)时，晶片的抗弯强度降低，因此在磨削加工后通过研磨垫的研磨或干蚀刻等将破碎层去除。

另一方面，已知当在晶片上残留有破碎层时，能够得到通过破碎层来捕获晶片的内部所含有的铜等金属元素的去疵效应。因此，当在晶片的背面侧形成有破碎层时，金属元素被晶片的背面侧捕获，能够防止金属元素移动至形成在晶片的正面侧的器件的附近。由此，能够抑制由于晶片内部的金属元素所导致的器件的不良(电流的泄漏等)。

但是，当为了提高晶片的抗弯强度而将破碎层去除时，去疵效应也会消失。因此，提出了如下的方法：在将破碎层去除之后，在晶片的背面上形成比破碎层更微细的凹凸或裂纹(应变)，利用形成有该应变的区域(应变层)来捕获金属元素。由此，不会显著降低晶片的抗弯强度而能够得到金属元素的去疵效应。

专利文献1中公开了如下的方法：在通过等离子蚀刻处理将对晶片的背面进行磨削而形成的破碎层去除之后，对晶片的背面照射等离子化的惰性气体而形成应变层(去疵层)。

专利文献1：日本特开2010-177430号公报

大多数情况下，在对形成于晶片的器件进行划分的间隔道上形成有包含器件评价用的TEG(Test Element Group：测试元件组)、用于在间隔道上对器件制作时所形成的绝缘膜等进行支承的柱状的金属图案(柱)等不作为器件的构成要素的金属层的图案(虚设图案)。该虚设图案与对晶片进行分割而得到的器件芯片的动作无关，因此在利用切削刀具对晶片进行切削时，该虚设图案与晶片一起被切削、去除。

但是，当通过切削刀具对含有金属层的虚设图案进行切削时，切削刀具与金属层接触而产生金属的突起(飞边)。并且，当为了对形成有该飞边的晶片形成上述应变层等而实施等离子加工时，有可能在形成有飞边的区域产生放电而使器件破损。

发明内容

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能够抑制在对晶片实施等离子加工时产生放电，从而能够防止器件的破损。