[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201910260665.9 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110364482A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 西田吉辉;饭田英一;横尾晋;高桥宏行;千东谦太 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/304;B23K26/08;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 激光加工槽 背面 等离子加工 破碎层 加工 磨削 去除 图案 保护部件 多个器件 惰性气体 晶片薄化 晶片分割 图案去除 激光束 间隔道 金属层 应变层 放电 粘贴 种晶 破损 照射 芯片 | ||
1.一种晶片的加工方法，该晶片在由多条间隔道划分的正面侧的区域中分别形成有器件，在该间隔道上形成有含有金属层的图案，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：
激光加工步骤，沿着形成有该图案的该间隔道照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，将该图案去除并且形成深度超过该晶片的完工厚度的激光加工槽；
保护部件粘贴步骤，将保护部件粘贴于形成有该激光加工槽的该晶片的正面侧；
磨削步骤，利用卡盘工作台隔着该保护部件对该晶片进行保持，对该晶片的背面侧进行磨削而将该晶片薄化至该完工厚度，使该激光加工槽在该晶片的背面露出而将该晶片分割成多个器件芯片；
破碎层去除步骤，将通过该晶片的磨削而形成于该晶片的背面侧的破碎层去除；以及
应变层形成步骤，通过使用了惰性气体的等离子加工在该破碎层已被去除的该晶片的背面侧形成应变层。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该破碎层去除步骤中，通过研磨垫的研磨加工将该破碎层去除。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该破碎层去除步骤中，通过使用了含有卤素的气体的等离子蚀刻加工将该破碎层去除。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的加工方法，其特征在于，
该晶片的加工方法还具有如下的步骤：
保护膜形成步骤，在该激光加工步骤之前，在该晶片的正面侧形成水溶性的保护膜；以及
保护膜去除步骤，在该激光加工步骤之后，将该保护膜从该晶片的正面侧去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
