[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，该制备方法通过在栅极绝缘层上先形成源漏极层，通过离子掺杂处理，将源漏极层上沟道区域内的金属处理为相对应的金属化合物或是复合物的绝缘材料，从而形成同层设置的源极区域、漏极区域、以及沟道区域；再在源漏极层上形成有源层。不涉及刻蚀工艺，解决了源漏极刻蚀时，有源层被蚀刻液损伤，从而影响阵列基板的电性，甚至产生信赖性的问题。同时，通过氧化处理可以形成更小的沟道，制作更小的阵列基板，从而提高阵列基板的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

阵列基板作为目前液晶显示装置和有源矩阵型有机发光二极管显示装置中的主要驱动元件，其性能直接关系到显示装置的发展方向。

然而现有的背沟道蚀刻结构的阵列基板，先形成有源层，后形成源漏极层，再对源漏极层进行刻蚀形成源极、漏极，在源漏极刻蚀时，易造成有源层被蚀刻液损伤，从而影响阵列基板的电性，甚至产生信赖性的问题。

因此，现有阵列基板制备技术存在有源层被刻蚀液刻蚀的技术问题，需要改进。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，解决现有阵列制备技术存在有源层被刻蚀液刻蚀的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列基板，其包括：

基板；

形成于所述基板上的栅极层；

形成于所述栅极层上的栅极绝缘层；

形成于所述栅极绝缘层上的源漏极层；

形成于所述源漏极层上的有源层；

其中，所述源漏极层包括源极区域、漏极区域、以及沟道区域，所述源极区域、所述漏极区域、以及所述沟道区域同层设置，所述沟道区域由所述源漏极层掺杂形成。

在本发明提供的阵列基板中，所述源漏极层的材料为金属。

在本发明提供的阵列基板中，所述源极区域和所述漏极区域的金属材料为铝，所述沟道区域的材料为氧化铝。

在本发明提供的阵列基板中，所述有源层为半导体材料。

在本发明提供的阵列基板中，所述有源层的材料为多晶硅。

进一步的，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，其包括：

提供基板；

在所述基板上形成栅极层；

在所述栅极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成源漏极层；

处理所述源漏极层，形成源极区域、漏极区域、以及沟道区域；

在所述源漏极层上形成有源层；

在所述有源层上形成钝化层。

在本发明提供的阵列基板制备方法中，所述处理所述源漏极层，形成源极区域、漏极区域、以及沟道区域的步骤包括：

图案化处理所述源漏极层，形成电路区；

对所述电路区掺杂形成源极区域、漏极区域、以及沟道区域。

在本发明提供的阵列基板制备方法中，所述对所述电路区掺杂形成源极区域、漏极区域、以及沟道区域的步骤包括：

确定掺杂区；

对所述掺杂区进行掺杂，形成所述沟道区域，进而确定所述源极区域和所述漏极区域。