[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括

基板；

形成于所述基板上的栅极层；

形成于所述栅极层上的栅极绝缘层；

形成于所述栅极绝缘层上的源漏极层；

形成于所述源漏极层上的有源层；

其中，所述源漏极层包括源极区域、漏极区域以及沟道区域，所述源极区域、所述漏极区域以及所述沟道区域同层设置，且所述沟道区域位于所述源极区域与所述漏极区域之间；所述沟道区域由所述源漏极层掺杂形成且绝缘。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极层的材料为金属。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极区域和所述漏极区域的金属材料为铝，所述沟道区域的材料为氧化铝。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为半导体材料。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为多晶硅。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成栅极层；

在所述栅极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成源漏极层；

处理所述源漏极层，形成同层设置的源极区域、漏极区域以及沟道区域，所述沟道区域位于所述源极区域与所述漏极区域之间，且所述沟道区域由所述源漏极层掺杂形成且绝缘；

在所述源漏极层上形成有源层；

在所述有源层上形成钝化层。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述处理所述源漏极层，形成源极区域、漏极区域、以及沟道区域的步骤包括：

图案化处理所述源漏极层，形成电路区；

对所述电路区掺杂形成源极区域、漏极区域、以及沟道区域。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述电路区掺杂形成源极区域、漏极区域、以及沟道区域的步骤包括：

确定掺杂区；

对所述掺杂区进行掺杂，形成所述沟道区域，进而确定所述源极区域和所述漏极区域。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述确定掺杂区的步骤包括：

在所述源漏极层上形成图案化的光阻层，所述图案化的光阻层在所述源漏极层上围出掺杂区。

10.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述掺杂区进行掺杂的步骤包括：

通过加热氧化或是等离子氧化手段，对所述掺杂区的金属进行氧化处理，将所述掺杂区的金属氧化为绝缘的金属氧化物。