[发明专利]利用高熵合金提纯多晶硅的方法

权利要求书

1.利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、将高熵合金与原料硅混合，在真空或惰性气氛中加热至熔融，在电磁场下进行定向凝固；

b、定向凝固后冷却，将硅与合金分离，得到提纯后的多晶硅。

2.根据权利要求1所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中，高熵合金在与原料硅混合前，先将高熵合金进行预处理，预处理方法为：将高熵合金在真空或惰性气氛下升温至熔化，然后随炉冷却至室温。

3.根据权利要求1所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，所使用的高熵合金的熔点≤硅的熔点。

4.根据权利要求2所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，所使用的高熵合金的熔点≤硅的熔点。

5.根据权利要求1～4任一项所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中，高熵合金由5种元素组成。

6.根据权利要求5所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中，高熵合金由Co、Cr、Fe、Ni和Al五种元素组成，或高熵合金由Co、Cr、Fe、Ni和Ti五种元素组成，或高熵合金由Co、Cr、Fe、Ni和Cu五种元素组成，或高熵合金由Co、Cr、Fe、Ni和Mn五种元素组成，或高熵合金由Al、Fe、Ni、Ti和Cu五种元素组成。

7.根据权利要求6所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中，高熵合金由Al、Fe、Ni、Ti和Cu五种元素组成。

8.根据权利要求7所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中，高熵合金分子式为AlFeNiTiCu。

9.根据权利要求1所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：原料硅的纯度不低于99 wt%。

10.根据权利要求1～4任一项所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：高熵合金与原料硅的质量比为5:1～1:5。

11.根据权利要求5所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：高熵合金与原料硅的质量比为5:1～1:5。

12.根据权利要求6所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：高熵合金与原料硅的质量比为5:1～1:5。

13.根据权利要求7所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：高熵合金与原料硅的质量比为5:1～1:5。

14.根据权利要求8所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：高熵合金与原料硅的质量比为5:1～1:5。

15.根据权利要求10所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：高熵合金与原料硅的质量比为1:2～2:1。

16.根据权利要求15所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：高熵合金与原料硅的质量比为1:1。

17.根据权利要求1所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：所述惰性气氛为氮气气氛或氩气气氛。

18.根据权利要求17所述的利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，步骤a中：按每克原料硅计，所吹入的惰性气体的流量为15～30 mL/min。