[发明专利]一种监控蚀刻的工艺方法及系统

说明书

本发明涉及一种监控蚀刻的工艺方法及系统，所述方法包括以下步骤：将待检视晶圆通过传送模组传送至定位模组；通过定位模组对待检视晶圆进行notch角定位后，再将待检视晶圆经过传送模组传送至OM检视模组载台上；通过第一OM检视模组扫描待检视晶圆的X轴及Y轴，生成晶圆MAP图；PC端数据处理中心将收到的晶圆MAP图的坐标与OM检视模组的载台上的待检测晶圆同步，定位模组根据给定坐标将待检视晶圆定位至与标准图片上PCM区监测Model相对应的位置；通过第二OM检视模组对待检视晶圆进行拍照晶圆图片并保存晶圆图片；PC端数据处理中心将接收到的晶圆图片与标准图片进行比对，输出比对结果。实现针对蚀刻工艺的监控手段精准化、实时化，同时避免人为判断误差。

技术领域

本发明涉及晶圆蚀刻技术领域，特别涉及一种监控蚀刻的工艺方法及系统。

背景技术

在集成电路制造中，通常都会建立一个PCM区(process control monitor，工艺控制监控)，PCM区是流片厂用于监控工艺、保证制程稳定的专用图形模块，监测内容包括各类方块电阻/电容/接触电阻/导线电阻以及有源器件的各项参数。在前段制程完成后对PCM区的模拟器件进行电性分析，如若发现有短路、断路和漏电等失效情况，则通过对该失效情况进行分析，找到与之对应的引起失效原因，接着对工艺进行相应的调整和改善。

湿蚀刻利用特定溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分，达到蚀刻的目的。因为湿蚀刻具有低成本、高可靠性、高产能及优越的刻蚀选择比等优点，被广泛运用于实际生产制程中。但是湿蚀刻的分辨率较差，一般不足以定义3微米以下的线宽。且湿蚀刻是利用化学反应来进行薄膜去除，化学反应本身是不具有方向性的，验证了湿蚀刻过程为等向性的特点。等向性蚀刻过程容易出现蚀刻不足，过蚀刻以及蚀刻图案变形等缺点。目前蚀刻工艺的监控手段无法实现精准、实时监测工艺过程，因此许多蚀刻异常引起的事件无法在生产中被及时发现并提前预防解决。蚀刻后图案检查为人为判断分析，存在人为误差等因素从而导致判断结果不够精确。

发明内容

为此，需要提供一种监控蚀刻的工艺方法及系统，解决目前蚀刻工艺的监控手段无法实现精准、实时监测工艺过程，因此许多蚀刻异常引起的事件无法在生产中被及时发现并提前预防解决，及蚀刻后图案检查为人为判断分析，存在人为误差等因素从而导致判断结果不够精确的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种监控蚀刻的工艺方法，包括以下步骤：

将待检视晶圆通过传送模组传送至定位模组；

通过定位模组对待检视晶圆进行notch角定位后，再将待检视晶圆经过传送模组传送至OM检视模组载台上；

通过第一OM检视模组扫描待检视晶圆的X轴及Y轴，生成晶圆MAP图，通过通信模组输送至PC端数据处理中心；

PC端数据处理中心将收到的晶圆MAP图的坐标与OM检视模组的载台上的待检视晶圆同步，定位模组根据给定坐标将待检视晶圆定位至与标准图片上PCM区监测Model相对应的位置；

通过第二OM检视模组对待检视晶圆进行拍照晶圆图片并保存晶圆图片，并将晶圆图片通过通信模组传输至PC端数据处理中心；

PC端数据处理中心将接收到的晶圆图片与标准图片进行比对，输出比对结果。

进一步优化，所述标准图片上的PCM区监测Model的形状不同、PCM区监测Model间具有不同间距及PCM区监测Model具有上高台或下高台。

进一步优化，所述“PC端数据处理中心将接收到的晶圆图片与标准图片进行比对，输出比对结果”具体包括：

PC端数据处理中心将接收到的晶圆图片与标准图片进行形状比对；

当比对晶圆图片与标准图片形状无异时，则输出与比对无异对应的结果；