[发明专利]抗静电硅胶保护膜的制备方法

说明书

本发明公开了一种抗静电硅胶保护膜的制备方法，包括以下步骤：S1.基材层的制备；S2.将甲基乙烯基硅橡胶、聚异戊二烯橡胶、硅酮树脂、乙烯基硅油、含氢硅油、3‑硫氰基丙基三乙氧基硅烷、2‑氨基苯并咪唑、纳米石墨粉、单十二烷基磷酸酯钾、甲苯、乙酸乙酯混合均匀，搅拌均匀，然后加入甲基丁炔醇、铂催化剂、过氧化环己酮，搅拌均匀，制得有机硅胶黏剂；S3.将所述有机硅胶黏剂均匀涂布于基材层表面，经固化形成有机硅胶层，制得保护膜半成品；S4.将所述保护膜半成品根据需要进行分条切割，即得所述抗静电硅胶保护膜；本发明制得的保护膜表面电阻率低，解决了保护膜使用过程中静电无法排放而影响自动化连续生产的问题。

技术领域

本发明涉及保护膜领域，尤其涉及一种抗静电硅胶保护膜的制备方法。

背景技术

在智能手机组装完成以前，其边框周围需要用中等粘性的保护膜进行粘贴临时固定，在智能手机组装完成以后，再撕掉其边框周围粘贴的保护膜。目前这类保护膜来自于国外供应商，国产的产品存在以下几个技术问题而不能替代进口产品，主要问题是：1、粘性太低或太高，以至于在使用过程中发生翘边甚至脱落，或是在去除时产生残胶；2、基材太硬或太软，以至于容易翘边，或是拉断；3、抗静电效果不佳，影响自动化连续生产。

因此，如何开发出一种粘性适中、容易移除的抗静电硅胶保护膜以取代进口产品，成为本领域技术人员研究的方向。

发明内容

本发明目的在于提供一种抗静电硅胶保护膜的制备方法，该方法制备得到的保护膜剥离强度适中，易剥离不残胶，且表面电阻率低，抗静电效果优异。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种抗静电硅胶保护膜的制备方法，包括以下步骤：

S1. 在一PET薄膜表面涂布胶黏剂，烘干，形成胶粘层，然后将所述PET薄膜和一PE薄膜热压复合，制得基材层；

S2. 将甲基乙烯基硅橡胶200~350份、聚异戊二烯橡胶10~40份、硅酮树脂10~25份、乙烯基硅油2~6份、含氢硅油0.5~5份、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷0.3~4份、2-氨基苯并咪唑0.3~2份、纳米石墨粉0.2~3.8份、单十二烷基磷酸酯钾1~3份、甲苯400~600份、乙酸乙酯250~400份混合均匀，搅拌30~60min，然后加入甲基丁炔醇0.5~3份、铂催化剂0.5~2份、过氧化环己酮0.3~1份，搅拌10~20min，制得有机硅胶黏剂；

S3. 将所述有机硅胶黏剂均匀涂布于基材层表面，经140~150℃固化形成有机硅胶层，制得保护膜半成品；

S4. 将所述保护膜半成品根据需要进行分条切割，即制得所述抗静电硅胶保护膜。

上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：

1. 上述方案中，步骤S3中采用狭缝式涂布装置进行涂布工艺。

2. 上述方案中，所述PET薄膜的厚度为15~25μm。

3. 上述方案中，所述PE薄膜的厚度为15~25μm。

4. 上述方案中，所述胶粘层的厚度为5~15μm。

5. 上述方案中，所述胶粘层为聚酯胶粘层。

6. 上述方案中，所述有机硅胶层的厚度为10~30μm。

7. 上述方案中，所述含氢硅油的含氢量为0.1~1.2%。

8. 上述方案中，所述铂催化剂选自氯铂酸、氯铂酸/烯基硅氧烷络合物以及氯铂酸/烯烃络合物中的一种或多种。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：