[发明专利]抗静电硅胶保护膜的制备方法

权利要求书

1.一种抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1. 在一PET薄膜（101）表面涂布胶黏剂，烘干，形成胶粘层（102），然后将所述PET薄膜（101）和一PE薄膜（103）热压复合，制得基材层（1）；

S2. 将甲基乙烯基硅橡胶200~350份、聚异戊二烯橡胶10~40份、硅酮树脂10~25份、乙烯基硅油2~6份、含氢硅油0.5~5份、3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷0.3~4份、2-氨基苯并咪唑0.3~2份、纳米石墨粉0.2~3.8份、单十二烷基磷酸酯钾1~3份、甲苯400~600份、乙酸乙酯250~400份混合均匀，搅拌30~60min，然后加入甲基丁炔醇0.5~3份、铂催化剂0.5~2份、过氧化环己酮0.3~1份，搅拌10~20min，制得有机硅胶黏剂；

S3. 将所述有机硅胶黏剂均匀涂布于基材层（1）表面，经140~150℃固化形成有机硅胶层（2），制得保护膜半成品；

S4. 将所述保护膜半成品根据需要进行分条切割，即制得所述抗静电硅胶保护膜。

2.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：步骤S3中采用狭缝式涂布装置进行涂布工艺。

3.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：所述PET薄膜（101）的厚度为15~25μm。

4.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：所述PE薄膜（103）的厚度为15~25μm。

5.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：所述胶粘层（102）的厚度为5~15μm。

6.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：所述胶粘层（102）为聚酯胶粘层。

7.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：所述有机硅胶层（2）的厚度为10~30μm。

8.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：所述含氢硅油的含氢量为0.1~1.2%。

9.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：所述铂催化剂选自氯铂酸、氯铂酸/烯基硅氧烷络合物以及氯铂酸/烯烃络合物中的一种或多种。