[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 201910245637.X | 申请日: | 2019-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN109979980A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
| 发明(设计)人: | 唐芮;简庆宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示面板 偏光片层 显示装置 制备 电致发光器件 摄像头 黑矩阵层 金属导线 阵列基板 正常显示 金属层 透射率 外界光 原结构 重叠式 反射 去除 保证 覆盖 | ||
本发明披露了一种显示面板及其制备方法和显示装置,在显示面板中,利用黑矩阵层材料对金属导线进行完全重叠式覆盖,且去除原结构上的偏光片层,从而不仅能够解决阵列基板上的金属层对外界光线的反射效应,以保证电致发光器件出光后正常显示,而且在使得没有偏光片层的情况下,增大外界光透射率,以保证屏下摄像头正常工作。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管器件(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180度视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。
目前普遍使用的是顶发射结构OLED器件,电致发光(Electroluminescence,EL)器件出光经过偏光片层(Polarizer,即POL),光强会折损50%左右,尤其对于屏下摄像头设计(CUP)的OLED产品而言,对应于摄像头上方的发光区域,偏光片层(POL)的光折损直接影响拍照效果,因此需要在此区域去除偏光片层结构。但是,由于阵列基板的各种金属层的存在,在没有偏光片层的情况下,外界光线会在金属层发生镜面反射,反射光线与电致发光器件的出射光线形成干涉,从而严重影响屏幕的成像效果。
有鉴于此,如何解决偏光片层光透过率偏低影响屏下摄像头正常成像的问题,并且确保摄像头上方的显示区域正常显示不受外界光线干涉影响,成为了相关研究人员的重点研究课题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种显示面板及其制备方法和显示装置,在显示面板中,利用黑矩阵层材料对金属导线进行完全重叠式覆盖,且去除原结构上的偏光片层,从而不仅能够解决阵列基板上的金属层对外界光线的反射效应,以保证电致发光器件出光后正常显示,而且在使得没有偏光片层的情况下,增大外界光透射率,以保证屏下摄像头正常工作。
根据本发明的一方面,本发明提供了一种显示面板,所述显示面板包括一阵列基板,所述显示面板还包括:至少一第一金属层,所述至少一第一金属层设置在所述阵列基板上;一层间介质层,所述层间介质层设置在所述至少一第一金属层上;一第二金属层,所述第二金属层设置在所述层间介质层上;至少一黑色矩阵层,所述至少一黑色矩阵层至少设置在所述第二金属层上,并且完全覆盖所述至少一第一金属层和所述第二金属层。
根据本发明的一实施例,当所述至少一黑色矩阵层为多层时,所述黑色矩阵层分别设置在所述第二金属层和所述至少第一金属层上,并且完全覆盖所述至少第一金属层和所述第二金属层。
根据本发明的一实施例,所述至少一黑色矩阵层的厚度为100纳米至5000纳米。
根据本发明的一实施例,所述至少一黑色矩阵层的材料为黑色有机树脂和黑色无机薄膜。
根据本发明的一实施例,所述黑色无机薄膜为金属氧化物或金属硫化物。
根据本发明的一实施例,所述至少一第一金属层的材料为钼。
根据本发明的一实施例,所述第二金属层为钛/铝/钛的叠层结构。
根据本发明的一实施例,所述阵列基板包括:一衬底基板、一设置在所述衬底基板上的无机阻水层、一设置在所述无机阻水层上的缓冲层、一设置在所述缓冲层上的有源层以及一设置在所述有源层上的栅极绝缘层;其中所述至少一第一金属层设置在所述栅极绝缘层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





