[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 201910245637.X | 申请日: | 2019-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN109979980A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
| 发明(设计)人: | 唐芮;简庆宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示面板 偏光片层 显示装置 制备 电致发光器件 摄像头 黑矩阵层 金属导线 阵列基板 正常显示 金属层 透射率 外界光 原结构 重叠式 反射 去除 保证 覆盖 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括一阵列基板,所述显示面板还包括:至少一第一金属层,所述至少一第一金属层设置在所述阵列基板上;
一层间介质层,所述层间介质层设置在所述至少一第一金属层上;
一第二金属层,所述第二金属层设置在所述层间介质层上;
至少一黑色矩阵层,所述至少一黑色矩阵层至少设置在所述第二金属层上,并且完全覆盖所述至少一第一金属层和所述第二金属层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述至少一黑色矩阵层为多层时,所述黑色矩阵层分别设置在所述第二金属层和所述至少第一金属层上,并且完全覆盖所述至少第一金属层和所述第二金属层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述至少一黑色矩阵层的厚度为100纳米至5000纳米。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述至少一黑色矩阵层的材料为黑色有机树脂和黑色无机薄膜。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述黑色无机薄膜为金属氧化物或金属硫化物。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述至少一第一金属层的材料为钼。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二金属层为钛/铝/钛的叠层结构。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括:一衬底基板、一设置在所述衬底基板上的无机阻水层、一设置在所述无机阻水层上的缓冲层、一设置在所述缓冲层上的有源层以及一设置在所述有源层上的栅极绝缘层;其中所述至少一第一金属层设置在所述栅极绝缘层上。
9.一种采用权利要求1所述显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
(1)提供一阵列基板的衬底基板;
(2)在所述衬底基板上沉积一第一金属层,并且采用栅极掩模板将所述第一金属层图案化,以形成一第一栅极层;
(3)在所述第一栅极层上涂布一黑色矩阵层材料,并执行曝光显影操作,以形成所述黑色矩阵层,并且与所述第一栅极层相同图案;
(4)在所述黑色矩阵层上沉积一层间介质层;
(5)在所述层间介质层上沉积第二金属层,并且进行图案化操作,以形成源极和漏极;
(6)在所述源极和漏极上涂布一黑色矩阵层材料,并执行曝光显影操作,以形成所述黑色矩阵层,并且与所述源极和漏极相同图案;
(7)在所述黑色矩阵层上设置一有机平坦层;
(8)在所述有机平坦层上沉积一阳极,并且图案化;
(9)在所述阳极上依次沉积相应的电致发光材料和阴极材料,以分别形成电致发光层和阴极。
10.一种采用权利要求1所述显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
(a)提供一阵列基板的衬底基板;
(b)在所述衬底基板上沉积一第一金属层,并且采用栅极掩模板将所述第一金属层图案化,以形成一第一栅极层;
(c)在所述第一栅极层上沉积一层间介质层;
(d)在所述层间介质层上沉积一第二金属层,并且进行图案化操作,以形成源极和漏极;
(e)在所述源极和漏极上涂布一黑色矩阵层材料,并执行曝光显影操作,以形成所述黑色矩阵层,并且使得所述黑色矩阵层完全覆盖所述第一金属层和所述第二金属层;
(f)在所述黑色矩阵层上设置一有机平坦层;
(g)在所述有机平坦层上沉积一阳极,并且图案化所述阳极;
(h)在所述图案化的阳极上依次沉积相应的电致发光材料和阴极材料,以分别形成电致发光层和阴极。
11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至8中任一所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





