[发明专利]虚拟掩膜板、掩膜板及其制作方法

说明书

本发明提供了一种虚拟掩膜板、掩膜板及其制作方法，属于显示技术领域。其中，所述虚拟掩膜板的虚拟图形由多个在第一方向上依次排布的子图形组成，相邻所述子图形在垂直于第一方向的第二方向上错开既定距离排列，所述第一方向为所述虚拟图形的延伸方向。通过本发明的技术方案，能够改善显示装置的Mura不良。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种虚拟掩膜板、掩膜板及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的爆发式发展，TFT(薄膜晶体管)-LCD(液晶显示器)朝着高PPI(像素密度)的方向发展，这也增加了TFT-LCD制造工艺的复杂性，通过增加光刻工艺子流程，能够实现在减小像素尺寸提升产品的PPI的同时保证产品的良率，一道光刻工艺子流程使用一张掩膜板，由于光掩膜板制作原理和数字曝光机的扫描原理容易造成掩膜板相邻两次激光脉冲扫描位置处形成CD(关键尺寸)差异，造成无法将虚拟掩膜板的CD百分之百的呈现在掩膜板上，导致TFT-LCD在显示上呈现Mura(亮斑)不良。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种虚拟掩膜板、掩膜板及其制作方法，能够改善显示装置的Mura不良。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种掩膜板，所述掩膜板的虚拟图形由多个在第一方向上周期性排布的子图形组成，相邻所述子图形在垂直于第一方向的第二方向上错开既定距离排列，所述第一方向为所述虚拟图形的延伸方向。

进一步地，所述虚拟图形包括至少一个子图形重复单元，每一所述子图形重复单元包括依次排布的第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分均包括n个子图形，所述第一部分中，第k+1个子图形相比第k个子图形靠近所述第二部分；所述第二部分中，第k+1个子图形相比第k个子图形靠近所述第一部分，k为小于n的正整数。

进一步地，n为4。

进一步地，所述虚拟图形包括至少一个子图形重复单元，每一所述子图形重复单元依次包括第一子图形、第二子图形、第三子图形和第四子图形，所述第一子图形与所述第二子图形在第二方向上错开既定距离排列，所述第二子图形与所述第三子图形在第二方向上错开既定距离排列，所述第三子图形与所述第四子图形在第二方向上错开既定距离排列，所述第一子图形在第一方向上的第一轴线与所述第三子图形在第一方向上的第三轴线重合，所述第二子图形在第一方向上的第二轴线与所述第四子图形在第一方向上的第四轴线分别位于所述第一轴线的两侧。

进一步地，所述虚拟图形包括至少一个子图形重复单元，每一所述子图形重复单元依次包括第一子图形和第二子图形，所述第一子图形与所述第二子图形在第二方向上错开既定距离排列。

进一步地，所述子图形呈矩形。

进一步地，每一子图形重复单元中，子图形之间错开的最大距离不超过20nm。

本发明实施例还提供了一种掩膜板的制作方法，包括：

利用如上所述的虚拟掩膜板对掩膜板本体进行激光扫描以完成掩膜板描绘。

本发明实施例还提供了一种掩膜板，采用如上所述的制作方法制作得到。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，虚拟掩膜板的虚拟图形由多个在第一方向上周期性排布的子图形组成，相邻子图形在垂直于第一方向的第二方向上错开既定距离排列，这样在进行掩膜板描绘或利用虚拟掩膜板进行曝光时，即使相邻两次激光脉冲扫描位置处关键尺寸存在差异，子图形之间的错开排列也能够避免出现周期性的关键尺寸变化，从而避免形成显示装置的横纹Mura。

附图说明

图1为现有技术在相邻两次激光脉冲扫描位置处存在关键尺寸差异的示意图；

图2为本发明实施例虚拟图形的示意图；