[发明专利]屏下摄像组件及相应的终端设备有效
| 申请号: | 201910241369.4 | 申请日: | 2019-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN111755617B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
| 发明(设计)人: | 景燎;吴旭东;刘思远 | 申请(专利权)人: | 宁波舜宇光电信息有限公司 |
| 主分类号: | H10K50/86 | 分类号: | H10K50/86;H10K59/122;H04M1/02 |
| 代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 陈琳琳;叶北琨 |
| 地址: | 315400 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 组件 相应 终端设备 | ||
1.屏下摄像组件,其特征在于,包括:
有机发光二极管显示屏,其显示区域包括屏下摄像区域和非屏下摄像区域;其中所述屏下摄像区域的像素密度设置成小于所述非屏下摄像区域的像素密度,所述屏下摄像区域的每个像素均具有发光层和围绕在所述发光层周围的隔离柱,所述隔离柱的侧壁倾斜且所述隔离柱围绕所述发光层而形成的开口由下至上逐渐扩大;以及
摄像模组,其光轴垂直于所述有机发光二极管显示屏的表面,并且所述摄像模组位于所述屏下摄像区域的后端;
其中,所述隔离柱采用透光材料制作,并且所述隔离柱的所述侧壁上附着有阻光层;
所述的有机发光二极管显示屏包括TFT层,在所述屏下摄像区域中,所述TFT层具有多个TFT开关单元和多个触点,每个所述TFT开关单元均位于与其对应的像素的发光结构的正下方,每个触点均位于相邻的所述发光结构之间的间隙的正下方;所述触点的上方形成凹槽状的过孔,所述过孔附着有导电纳米线和/或所述发光结构的阴极,使得所述发光结构的阴极通过所述过孔与所述触点导通;并且,透光材料填充所述过孔并覆盖在附着于所述过孔的所述纳米线和/或所述阴极的上表面。
2.根据权利要求1所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述侧壁与所述有机发光二极管显示屏的发光面的法线的夹角小于30°。
3.根据权利要求1所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述阻光层完全覆盖所述侧壁。
4.根据权利要求1所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述阻光层覆盖所述侧壁的部分区域,所述侧壁的剩余部分区域暴露在所述阻光层以外。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述摄像模组用于成像并输出图像数据;
所述屏下摄像组件还包括数据处理模块,其用于通过数据处理算法来滤除所述图像数据中的杂散光,其中所述杂散光是入射光通过所述有机发光二极管显示屏过程中,在所述非屏下摄像区域的内部微结构的折射、反射和衍射效应下而产生的杂散光。
6.根据权利要求5所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述数据处理模块还用于基于机器学习技术提取所述杂散光的特征向量并训练所述杂散光的识别模型,以及基于所训练的所述识别模型来滤除所述杂散光。
7.根据权利要求1所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述屏下摄像区域的像素间距设置成大于所述非屏下摄像区域的像素间距,其中所述的像素间距是所述有机发光二极管显示屏的相邻像素的发光结构之间的间距。
8.根据权利要求1所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述的有机发光二极管显示屏依次包括:阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、缓冲层和阳极;其中所述发光层被隔离开,形成多个所述的像素。
9.根据权利要求8所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述发光层制作于其下层结构所形成的凹槽的底部,且所述凹槽深度大于所述发光层的高度,所述凹槽的侧壁为所述隔离柱的侧壁,其中所述下层结构是电子传输层或空穴传输层。
10.根据权利要求8所述的屏下摄像组件,其特征在于,在所述屏下摄像区域中,所述阴极层的对应于所述像素之间间隙的位置具有通光槽。
11.根据权利要求8所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述的有机发光二极管显示屏还包括背板薄膜,在所述屏下摄像区域中,所述背板薄膜的对应于所述像素之间间隙的位置具有通光槽。
12.根据权利要求1所述的屏下摄像组件,其特征在于,所述屏下摄像组件还包括:第一控制单元,其用于在所述摄像模组不工作状态下控制所述屏下摄像区域和所述非屏下摄像区域均显示图像;并且在所述摄像模组工作状态下控制所述屏下摄像区域的显示功能关闭。
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