[发明专利]修整图形的方法、介质、服务器及光学掩模的制造方法

说明书

本发明提供一种修整图形的方法、介质、服务器及光学掩模的制造方法，所述修整图形的方法包括：利用化学机械抛光模型模拟晶圆的表面形貌，获得形貌图，所述形貌图体现了晶圆表面的高低；对晶圆表面不符合预设高度的区域进行标记，获得阶高标记层信息；根据所述阶高标记层信息建立对应的景深模型；利用所述景深模型对待修整的图形进行光学邻近校正处理。本发明所述的修正图形的方法能够检测出晶圆表面的不平坦区域上的热点问题，并且通过图形校正优化修正该问题造成的不良影响，提高器件的良品率。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种修整图形的方法、介质、服务器及光学掩模的制造方法。

背景技术

光学邻近校正(Optical Proximity Correction，OPC)是一种光刻增强技术，影响造成的图像错误。光学邻近校正主要在半导体器件的生产过程中使用，目的是为了保证生产过程中设计的图形的边缘得到完整的刻蚀。若投影图像出现违规行为，如线宽度比设计窄或宽，都可以通过改变掩模版来补偿成像。其他的失真，如圆角，受光学工具分辨率的制约，更加难以弥补。这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近校正通过移动掩模版上图形的边缘或添加额外的多边形来纠正这些错误。光学邻近校正的目标是尽可能的使硅片上生产出的电路与掩膜板设计的电路一致。

现有的光学邻近校正的模拟和修正均是基于平坦晶圆的数据，没有考虑晶圆的真实形貌情况，导致制备的器件良率低。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种修整图形的方法、介质、服务器及光学掩模的制造方法，用于解决现有光学邻近校正的模拟或/和修正没有考虑晶圆的真实形形貌影响器件良品率的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种修整图形的方法，所述方法包括：利用化学机械抛光模型模拟晶圆的表面形貌，获得形貌图，所述形貌图体现了晶圆表面的高低；对晶圆表面不符合预设高度的区域进行标记，获得阶高标记层信息；根据所述阶高标记层信息建立对应的景深模型；利用所述景深模型对待修整的图形进行光学邻近校正处理。

于本发明的一实施例中，所述对晶圆表面不符合预设高度的区域进行标记，获得阶高标记层信息的一种实现过程包括：根据所述晶圆表面的高度将晶圆表面划分成不同的区域，相邻区域的高度不同；符合预设高度的区域为非修整区，不符合预设高度的区域为待修整区；利用GDS标记层方式对各所述待修整区进行标记，获得对应区域的阶高标记层信息；高度相同的待修整区域获得相同的阶高标记层信息。

于本发明的一实施例中，根据所述晶圆表面的高度将晶圆表面划分成不同的区域的一种实现方法包括：根据所述晶圆表面的高低差将晶圆表面划分成不同的区域；划分方式包括：所述高低差符合预设划分范围或符合预设划分值。

于本发明的一实施例中，根据所述阶高标记层信息建立对应的景深模型的一种实现过程包括：根据所述阶高标记层信息获得对应该阶高的焦距，建立对应焦距下的光学模型，即所述景深模型；所述景深模型的焦距与对应的阶高匹配；所述阶高即为高低差。

于本发明的一实施例中，利用所述景深模型对图形进行光学邻近校正处理的一种实现过程包括：根据晶圆表面的区域划分，选取与各区域匹配的景深模型仿真对应区域内的曝光图形；将所述曝光后的图形与掩膜板设计图形进行对比，获得边缘误差；判断所述边缘误差是否符合预设范围；若是则完成修整；否则，移动所述曝光后的图形的边缘位置，继续与掩膜板设计图形进行对比，直至边缘误差符合预设范围。

于本发明的一实施例中，所述修整图形的方法还包括：对所述光学邻近校正处理后的图形进行光学规则检查处理。

于本发明的一实施例中，所述修整图形的方法还包括：基于预设信息生成所述化学机械抛光模型；所述预设信息包括晶圆相关信息和工艺相关信息；所述晶圆相关信息包括：光刻时所需晶圆的图形尺寸及其误差范围，化学机械抛光后晶圆表面的高度及其误差范围；所述工艺相关信息包括：光刻时要求的景深大小和曝光时图形的坏点。