[发明专利]微发光二极管阵列基板的制作方法

说明书

本发明公开了微发光二极管阵列基板的制作方法。该方法包括：提供基板，基板上具有多个阵列排布的像素单元，像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域，不同颜色的微发光二极管的磊晶层厚度不同；提供第一基板，第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，并将第一基板上的微发光二极管整体转移到基板上与微发光二极管颜色相同的子像素区域处；按照微发光二极管磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移第一基板上微发光二极管的步骤，直至像素单元中的多个子像素区域均设置有颜色与之对应的微发光二极管。由此，该方法具有效率高的优点，由该方法制作出的微发光二极管阵列基板可以实现彩色化显示。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及微发光二极管阵列基板的制作方法。

背景技术

目前，微发光二极管(Micro-LED)显示受到越来越多的关注，微发光二极管显示屏具有省电特质，适合应用于增强现实(AR)/虚拟显示(VR)头盔以及智慧表等穿戴式装置，也适合应用于户外显示看板、平视显示器(HUD)等。另外，微发光二极管显示屏在车尾灯、无线光通讯Li-Fi、投影机等领域同样具有可期的应用前景。微发光二极管主要通过将传统发光二极管晶体薄膜用微缩制程技术进行微缩化、阵列化、薄膜化，然后通过转移技术将晶体薄膜批量转移到驱动电路基板上，利用物理沉积制造保护层，最后完成封装。然而，目前的转移技术难以高效率的制备大尺寸且为彩色显示的微发光二极管显示装置。

因此，目前的微发光二极管阵列基板的制作方法仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种微发光二极管阵列基板的制作方法。该方法包括：提供基板，所述基板上具有多个阵列排布的像素单元，所述像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域，不同颜色的所述微发光二极管的磊晶层厚度不同；提供第一基板，所述第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，并将所述第一基板上的所述微发光二极管整体转移到所述基板上与所述微发光二极管颜色相同的所述子像素区域处；按照所述微发光二极管的磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移所述第一基板上的微发光二极管的步骤，直至所述像素单元中的多个所述子像素区域均设置有颜色与之对应的所述微发光二极管。由此，该方法具有效率高的优点，且由该方法制作出的微发光二极管阵列基板可以实现彩色化显示。

根据本发明的实施例，位于所述第一基板上，且与位于同一行且相邻的两个所述像素单元相对应的两个所述微发光二极管之间，具有留白区域。由此，可以使微发光二极管与颜色相同的子像素区域相对应，便于将微发光二极管设置在颜色相同的子像素区域处。

根据本发明的实施例，具有相同颜色的所述微发光二极管和所述子像素区域中，所述子像素区域的总个数为每个所述第一基板上所述微发光二极管总个数的整数倍。由此，可以实现大尺寸微发光二极管阵列基板的制备，增加微发光二极管阵列基板的应用场景。

根据本发明的实施例，所述微发光二极管包括蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管或者红光微发光二极管，所述方法包括：首先整体转移所述第一基板上的所述蓝光微发光二极管，随后整体转移所述第一基板上的所述绿光微发光二极管，最后整体转移所述第一基板上的所述红光微发光二极管。由此，使用三原色像素设计可以实现彩色显示，且按照磊晶层由薄到厚的顺序依次转移蓝光、绿光、红光微发光二极管，可以防止在先转移的微发光二极管受到在后转移的微发光二极管的挤压而遭到损坏。

根据本发明的实施例，所述蓝光微发光二极管以及所述绿光微发光二极管是通过以下步骤形成的：在所述第一基板上生长用于形成所述蓝光微发光二极管或者所述绿光微发光二极管的半导体材料层；基于所述半导体材料层，利用构图工艺形成多个阵列排布的所述磊晶层；在所述磊晶层远离所述第一基板的一侧设置第一电极和第二电极，所述第一电极的面积大于所述第二电极的面积。由此，利用简单的方法即可获得蓝光微发光二极管以及绿光微发光二极管。