[发明专利]微发光二极管阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种微发光二极管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板上具有多个阵列排布的像素单元，所述像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域，不同颜色的所述微发光二极管的磊晶层厚度不同；

提供第一基板，所述第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，并将所述第一基板上的所述微发光二极管整体转移到所述基板上与所述微发光二极管颜色相同的所述子像素区域处；

按照所述微发光二极管的磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移所述第一基板上的微发光二极管的步骤，直至所述像素单元中的多个所述子像素区域均设置有颜色与之对应的所述微发光二极管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，位于所述第一基板上，且与位于同一行且相邻的两个所述像素单元相对应的两个所述微发光二极管之间，具有留白区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具有相同颜色的所述微发光二极管和所述子像素区域中，所述子像素区域的总个数为每个所述第一基板上所述微发光二极管总个数的整数倍。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述微发光二极管包括蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管或者红光微发光二极管，所述方法包括：

首先整体转移所述第一基板上的所述蓝光微发光二极管，随后整体转移所述第一基板上的所述绿光微发光二极管，最后整体转移所述第一基板上的所述红光微发光二极管。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述蓝光微发光二极管以及所述绿光微发光二极管是通过以下步骤形成的：

在所述第一基板上生长用于形成所述蓝光微发光二极管或者所述绿光微发光二极管的半导体材料层；

基于所述半导体材料层，利用构图工艺形成多个阵列排布的所述磊晶层；

在所述磊晶层远离所述第一基板的一侧设置第一电极和第二电极，所述第一电极的面积大于所述第二电极的面积。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述红光微发光二极管是通过以下步骤形成的：

在第二基板上生长用于形成所述红光微发光二极管的半导体材料层；

将所述第二基板上的所述半导体材料层，转移到所述第一基板上，并去除所述第二基板；

基于所述第一基板上的所述半导体材料层，利用构图工艺形成多个阵列排布的所述磊晶层；

在所述磊晶层远离所述第一基板的一侧设置第一电极和第二电极，所述第一电极的面积大于所述第二电极的面积。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述微发光二极管的出光侧设置分布式布拉格反射介质膜，所述分布式布拉格反射介质膜的反射率小于所述微发光二极管中所述第一电极的反射率。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述分布式布拉格反射介质膜由多个周期交替排列的亚层构成，所述亚层包括五氧化二钽以及氧化硅。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述亚层的厚度为λ/4n，其中λ为量子阱发光中心波长，n为构成所述亚层的材料的折射率。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，剥离所述第一基板的方法包括湿法刻蚀、干法刻蚀以及激光剥离。