[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

说明书

本发明在蚀刻中抑制产生侧凹并且抑制产生堵塞物。本发明提供一种能够在处理容器内蚀刻基片上的有机膜的蚀刻方法，其包括：将上述基片的温度控制为﹣35℃以下的步骤；和将含氧气体供给到上述处理容器内的步骤。

技术领域

本发明涉蚀刻方法和等离子体处理装置。

背景技术

在有机膜的蚀刻步骤中，当将基片的温度控制为20℃的低温时，形成于基片的孔和线(line)的侧面的蚀刻受到抑制，不易产生孔等的侧面扩展而形成的侧凹(Bowing)，能够使蚀刻形状垂直。另一方面，当基片的温度为20℃时，容易产生因蚀刻生成的副生成物再次附着在孔等内而产生的堵塞物(Clogging)。

对此，当将基片的温度控制为60℃的高温时，副生成物难以再次附着在孔等内，不易产生堵塞物(Clogging)，另一方面，促进孔等的侧面的蚀刻，容易产生侧凹(Bowing)。如此，在将基片的温度控制在20℃的低温和60℃的高温的情况下，侧凹与堵塞物之间存在此消彼长(trade-off)的关系，成为一个现象被改善而另一个现象不被改善的状况。

专利文献1、2提出了在基片的温度为﹣35℃以下的极低温环境中，利用由气体生成的等离子体执行蚀刻处理的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-228690号公报

专利文献2：日本特开2017-220649号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

优选消除因温度控制而导致的侧凹与堵塞物之间的此消彼长的关系，改善侧凹和堵塞物这两种现象。

本发明提供一种能够在蚀刻中抑制产生侧凹并且抑制产生堵塞物的技术。

用于解决技术问题的技术手段

依照本发明的一个实施方式，提供一种能够在处理容器内蚀刻基片上的有机膜发热蚀刻方法，其包括：将上述基片的温度控制为﹣35℃以下的步骤；和将含氧气体供给到上述处理容器内的步骤。

发明效果

依照一个方面，能够在蚀刻中抑制产生侧凹并且抑制产生堵塞物。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的纵截面的一例的图。

图2是表示一实施方式的蚀刻处理的结果的一例的图。

图3是表示一实施方式的与晶片的温度对应的蚀刻速率的一例的图。

附图标记说明

1：等离子体处理装置

10：硅基片

11：载置台

12：气体喷淋头

17：气体供给源

20：有机膜

21：第一高频电源

24：第二高频电源

30：掩模

41a：制冷剂流路

42：制冷单元

44：导热用气体供给源

46：静电吸盘

48：直流电源

100：控制部

C：处理容器。