[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201910231576.1 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110323135A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 东佑树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 处理容器 等离子体处理装置 含氧气体 堵塞物 有机膜 侧凹 | ||
1.一种蚀刻方法，其能够在处理容器内蚀刻基片上的有机膜，所述蚀刻方法的特征在于，包括：
将所述基片的温度控制为﹣35℃以下的步骤；和
将含氧气体供给到所述处理容器内的步骤。
2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述含氧气体至少包含O2气体、或者CO气体、或者O2气体和CO气体。
3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述至少包含O2气体的气体还包含He气体、N2气体、Ar气体、H2气体或者碳氟化合物气体。
4.如权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于：
至少包含O2气体和He气体的气体还包含COS气体。
5.如权利要求3或4所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述碳氟化合物气体为C4F6气体。
6.如权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述有机膜是碳膜、光致抗蚀剂膜或者防反射膜。
7.如权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述碳膜为涂敷碳膜。
8.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
处理容器；
在所述处理容器内载置基片的载置台；
温度控制部，其控制载置于所述载置台的基片的温度；
将气体供给到所述处理容器内的气体供给部；和
控制部，
所述控制部控制所述等离子体处理装置，以使得所述等离子体处理装置执行以下步骤：
将所述基片的温度控制为﹣35℃以下的步骤；
将含氧气体供给到所述处理容器内的步骤；和
蚀刻载置在所述载置台的基片上的有机膜的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
