[发明专利]拼接式掩膜版及其制造方法

说明书

本发明公开了一种拼接式掩膜版，包括多个所述标记设置在掩膜版外框和掩膜版内框之间，所述重复器件单元掩膜版和非重复器件单元掩膜版并列排布在掩膜版内框内，该掩膜版的每种重复器件单元掩膜版仅保留一个，所述重复器件单元掩膜版和非重复器件单元掩膜版之间设有遮光带。本发明还公开了一种所述拼接式掩膜版的制造方法。本发明每一种半导体器件重复单元的掩膜板只保留一个，将其他半导体器件重复单元掩膜板去除，重新组合排列，去除了大部分导体器件重复单元能实现将拼接式掩模版外框的长、宽均小于光刻机所能支持像场范围。采用本发明仅制作一张掩膜版便可以实现大面积拼接式芯片完全曝光，极大的减少了生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种制造半导体器件时使用的拼接式掩膜版。本发明还涉及一种制造半导体器件时使用的拼接式掩膜版制造方法。

背景技术

掩膜版半导体技术中用来提供线路图案以便执行图案转移的光罩，在半导体领域需要大量的用到，掩膜板的图案正确与否在半导体器件领域是至关重要的。

随着时代的发展，半导体制造业、传感器技术发展日新月异。大面积拼接式芯片逐渐开始应用在一些医用成像、科研应用、监测装置等领域。但由于拼接式芯片往往面积大于光刻机的像场范围，为了能够使半导体器件的所有功能单元通过一张掩膜版曝光，拼接式掩膜版设计成为了必然趋势。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种应用于大面积拼接式芯片，能制造所述拼接式芯片所有功能单元的拼接式掩膜版。

所述拼接式掩膜版是指在掩膜版上将所有非重复性曝光单元重新组合，并合理设计遮光带与标记，通过多次曝光能够达到产品所需曝光。即将所有非重复性单元设计在一张拼接式掩膜版上。

所述大面积拼接式芯片是指拼接式芯片面积大于光刻机的像场范围。

为解决上述技术问题，本发明提供一种拼接式掩膜版，包括掩膜版外框、掩膜版内框、标记、重复器件单元掩膜版和非重复器件单元掩膜版；多个所述标记设置在掩膜版外框和掩膜版内框之间，所述重复器件单元掩膜版和非重复器件单元掩膜版并列排布在掩膜版内框内，其中，该掩膜版的每种重复器件单元掩膜版仅保留一个，所述重复器件单元掩膜版和非重复器件单元掩膜版之间设有遮光带。所述标记包括但不限于，套刻标记、对准标记和旋转标记。

进一步改进所述的拼接式掩膜版，所述掩膜版外框和掩膜版内框之间设有三条划片槽。

进一步改进所述的拼接式掩膜版，所述三条划片槽宽度相等。

进一步改进所述的拼接式掩膜版，所述三条划片槽宽度为10um-120um，所述三条划片槽宽度优选为60um。

进一步改进所述的拼接式掩膜版，所述三条划片槽中最外侧的划片槽用于光刻作业，中间划片槽和最内侧划片槽用于布置标记和测试单元。

测试单元指在wafer加工中为了监测工艺而加入在wafer固定位置的标记。

进一步改进所述的拼接式掩膜版，所述遮光带两侧设置套刻标记stitch OVLmonitor mark，该套刻标记的用途是拼接对准。

进一步改进所述的拼接式掩膜版，所述遮光带宽度为100um-875um,所述遮光带优选宽度为400um。

本发明提供一种拼接式掩膜版制造方法，包括以下步骤：

1)根据需求设计掩膜版；

2)在掩膜版内框和外框之间设置标记；

3)将步骤2)制造掩膜版中每种重复器件单元掩膜版仅保留一个并设置重复单元定位标记；