[发明专利]拼接式掩膜版及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910231370.9 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN109856927A 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 范元骏 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦天雷
地址: 201315 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 掩膜版 拼接式 重复器件 半导体器件 器件单元 非重复 掩膜板 内框 外框 标记设置 并列排布 导体器件 重新组合 光刻机 掩模版 遮光带 保留 去除 像场 生产成本 制造 芯片 曝光 制作
【权利要求书】:

1.一种拼接式掩膜版,包括掩膜版外框、掩膜版内框、标记、重复器件单元掩膜版和非重复器件单元掩膜版;多个所述标记设置在掩膜版外框和掩膜版内框之间,所述重复器件单元掩膜版和非重复器件单元掩膜版并列排布在掩膜版内框内,其特征在于:该掩膜版的每种重复器件单元掩膜版仅保留一个,所述重复器件单元掩膜版和非重复器件单元掩膜版之间设有遮光带。

2.如权利要求1所述的拼接式掩膜版,其特征在于:所述掩膜版外框和掩膜版内框之间设有三条划片槽。

3.如权利要求2所述的拼接式掩膜版,其特征在于:所述三条划片槽宽度相等。

4.如权利要求2所述的拼接式掩膜版,其特征在于:所述三条划片槽宽度为10um-120um。

5.如权利要求1所述的拼接式掩膜版,其特征在于:所述三条划片槽中最外侧的划片槽用于光刻作业,中间划片槽和最内侧划片槽用于布置标记和测试单元。

6.如权利要求1所述的拼接式掩膜版,其特征在于:所述遮光带两侧设置套刻标记。

7.如权利要求1所述的拼接式掩膜版,其特征在于:所述遮光带宽度为100um-875um。

8.如权利要求1-7任意一项所述的拼接式掩膜版,其特征在于:所述拼接式掩膜版外框长宽均小于光刻机所能支持像场范围。

9.一种拼接式掩膜版制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)根据需求设计掩膜版;

2)在掩膜版内框和外框之间设置标记;

3)将步骤2)制造掩膜版中每种重复器件单元掩膜版仅保留一个并设置重复单元定位标记;

4)利用步骤2)和步骤3)的标记将保留的重复器件单元掩膜版和非重复器件单元掩膜版根据原有位置关系形成拼接掩膜版;

5)根据光刻需求布置器件单元之间的遮光带;

6)将步骤2)中标记根据位置关系转化为对应的拼接掩膜版标记。

10.如权利要求9所述的拼接式掩膜版制造方法,其特征在于:实施步骤5时)在拼接掩膜版外框和内框之间设置三条划片槽。

11.如权利要求10所述的拼接式掩膜版制造方法,其特征在于:所述三条划片槽宽度相等。

12.如权利要求10所述的拼接式掩膜版制造方法,其特征在于:所述三条划片槽宽度为10um-120um。

13.如权利要求10所述的拼接式掩膜版制造方法,其特征在于:所述三条划片槽中最外侧的划片槽用于光刻作业,中间划片槽和最内侧划片槽用于布置标记和测试单元。

14.如权利要求9所述的拼接式掩膜版制造方法,其特征在于:所述遮光带两侧设置套刻标记。

15.如权利要求9所述的拼接式掩膜版制造方法,其特征在于:所述遮光带宽度为100um-875um。

16.如权利要求9-15任意一项所述的拼接式掩膜版,其特征在于:拼接式掩膜版外框长宽均小于光刻机所能支持像场范围。

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