[发明专利]电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法在审

专利信息
申请号: 201910229435.6 申请日: 2019-03-25
公开(公告)号: CN111739572A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 林信章;钟承谕;黄文谦 申请(专利权)人: 亿而得微电子股份有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/14;H01L27/11521
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电子 写入 擦除 重写 只读存储器 低压 快速 方法
【权利要求书】:

1.一种电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法,其特征在于,该电子写入可擦除可重写只读存储器包含有一半导体基板,其上设有至少一N型晶体管结构,该N型晶体管结构具有一第一导电栅极以及至少二第一离子掺杂区位于该半导体基板内且位于该第一导电栅极之二侧,以分别作为源极和漏极,且该第一导电栅极与该源极和漏极交界处之该第一离子掺杂区内更植入同型离子,以增加其离子浓度,该擦除方法系包括:

于该第一导电栅极、源极、漏极及该半导体基板分别施加一栅极电压Vg、源极电压Vs、漏极电压Vd及基板电压Vsub,并满足下列条件:

满足Vsub=接地,Vd=高压,Vs=浮接,且Vg=0或小于2V;或

满足Vsub=接地,Vs=高压,Vd=浮接,且Vg=0或小于2V。

2.如权利要求1所述的电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法,其特征在于,该电子写入可擦除可重写只读存储器更包含有一电容结构,位于该半导体基板表面且与该至少一N型晶体管结构相隔离,该电容结构包括有一第二离子掺杂区位于该半导体基板内,以及一第二导电栅极电性连接该第一导电栅极,以作为单浮接栅极,此时该单浮接栅极系施加该栅极电压Vg

3.如权利要求1所述的电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法,其特征在于,植入该同型离子系增加该半导体基板内或该第一离子掺杂区内之离子浓度的1至10倍。

4.如权利要求1所述的电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法,其特征在于,该N型晶体管结构系为N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

5.如权利要求1所述的电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法,其特征在于,该第一掺杂区更包含有一轻掺杂漏极(LDD)。

6.一种电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法,其特征在于,该电子写入可擦除可重写只读存储器包含有一半导体基板,其上设有至少一P型晶体管结构,该P型晶体管结构具有一第一导电栅极以及至少二第一离子掺杂区位于该半导体基板内且位于该第一导电栅极之二侧,以分别作为源极和漏极,且该第一导电栅极与该源极和漏极交界处之该第一离子掺杂区内更植入同型离子,以增加其离子浓度,该擦除方法系包括:

于该第一导电栅极、源极、漏极及该半导体基板分别施加一栅极电压Vg、源极电压Vs、漏极电压Vd及基板电压Vsub,并满足下列条件:

满足Vsub=高压,Vs=0,Vd=浮接,且Vg=高压或小于高压2V以内;或

满足Vsub=高压,Vd=0,Vs=浮接,且Vg=高压或小于高压2V以内。

7.如权利要求6所述的电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法,其特征在于,该电子写入可擦除可重写只读存储器更包含有一电容结构,位于该半导体基板表面且与该至少一P型晶体管结构相隔离,该电容结构包括有一第二离子掺杂区位于该半导体基板内,以及一第二导电栅极电性连接该第一导电栅极,以作为单浮接栅极,此时该单浮接栅极系施加该栅极电压Vg

8.如权利要求6所述的电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法,其特征在于,植入该同型离子系增加该半导体基板内或该第一离子掺杂区内之离子浓度的1至10倍。

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