[发明专利]提升低压腐蚀铝箔比容的方法

说明书

本发明公开一种提升低压腐蚀铝箔比容的方法，包括：(1)将铝箔浸泡于磷酸水溶液中，并水洗处理；(2)然后将其置于含有盐酸、硫酸、三氯化铝和乳液型聚醚‑硅氧烷共聚物有机硅破泡剂的水溶液中进行布孔腐蚀，并水洗处理；(3)然后将其置于磷酸氢盐或磷酸二氢盐的水溶液中进行中处理，并水洗处理；(4)然后将其置于含有盐酸、硫酸、三氯化铝和乳液型聚醚‑硅氧烷共聚物有机硅破泡剂的水溶液中进行深度生长腐蚀，并水洗处理；(5)重复步骤(3)和步骤(4)3‑6次；(6)然后将其浸泡于硫酸水溶液中，并水洗处理；然后再将水洗后的铝箔浸泡于三乙醇胺溶液中，并水洗处理；(7)然后对其进行干燥。该方法能够提升低压腐蚀铝箔的比容。

技术领域

本发明属于电极材料领域，特别涉及提升低压腐蚀铝箔比容的方法。

背景技术

低压铝电解电容器用铝箔是在含有磷酸、硫酸、硝酸、草酸等与盐酸混合的腐蚀溶液中，通过化学或电化学腐蚀的方法来使得铝箔表面粗化，进而扩大铝箔的表面积。一般工艺步骤为前处理、一级布孔腐蚀、多级变频深度腐蚀、后处理和热处理。近年来，电子设备的小型化要求铝电解电容器的体积越来越小，相应地要求所使用的电极箔具备比以前更高的静电容量，铝箔的表面积扩大更为高效。在传统的铝箔腐蚀加电过程中，由于铝箔自身的溶解，以及石墨极板上的电化学还原反应，会产生大量的氢气，分散在腐蚀液中或吸附在铝箔表面，导致铝箔和石墨极板之间电流分布不均。大量氢气的存在阻碍了腐蚀孔洞的生长，进而影响腐蚀孔洞分布的均匀性和腐蚀箔的扩面效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提升低压腐蚀铝箔比容的方法，该方法能够促使腐蚀加电产生的氢气气泡破裂，改善溶液内部和界面的电流分布，同时减少气泡在铝箔表面的吸附，从而使得腐蚀孔洞的生长更为容易和均匀，提升腐蚀箔扩面效率，增加低压腐蚀铝箔的容量。

为实现本发明的目的，本发明提供了一种提升低压腐蚀铝箔比容的方法，采用的技术方案如下：

一种提升低压腐蚀铝箔比容的方法，包括以下步骤：

(1)前处理

将铝箔浸泡于磷酸水溶液中，取出后对其进行水洗处理，以除去铝箔表面的油污及氧化膜；

(2)布孔腐蚀

将经步骤(1)处理后的铝箔置于含有盐酸、硫酸、三氯化铝和乳液型聚醚-硅氧烷共聚物有机硅破泡剂的水溶液中进行布孔腐蚀，取出后对其进行水洗处理；

在电解作用下，其中的盐酸主要用于发孔，硫酸主要用于钝化以防止发孔过快，三氯化铝用于稳定腐蚀液中的铝离子浓度；乳液型聚醚-硅氧烷共聚物有机硅破泡剂用于促使腐蚀加电产生的氢气气泡破裂，改善溶液内部和空气-液体界面的电流分布，同时减少气泡在铝箔表面的吸附；腐蚀液中几种物质的共同作用，使得布孔腐蚀阶段能够在铝箔表层分布一定数量的间隔和深度均匀的孔洞；

(3)中处理

将经步骤(2)处理后的铝箔置于磷酸氢盐或磷酸二氢盐的水溶液中进行中处理，取出后对其进行水洗处理；

中处理主要是通过钝化作用使步骤(2)所发的孔内覆盖上一层钝化膜，从而使孔洞停止生长；

(4)深度生长腐蚀

将经步骤(3)处理后的铝箔置于含有盐酸、硫酸、三氯化铝和乳液型聚醚-硅氧烷共聚物有机硅破泡剂的水溶液中进行深度生长腐蚀，取出后对其进行水洗处理；

同样地，在电解作用下，其中的盐酸主要用于发孔，硫酸主要用于钝化以防止发孔过快，三氯化铝用于稳定腐蚀液中的铝离子浓度；乳液型聚醚-硅氧烷共聚物有机硅破泡剂用于促使腐蚀加电产生的氢气气泡破裂，改善溶液内部和空气-液体界面的电流分布，同时减少气泡在铝箔表面的吸附；腐蚀槽液中几种物质的共同作用，使得深度生长腐蚀阶段能够在步骤(2)所发的位于铝箔表层的孔洞基础上，向铝箔的深层继续发孔；