[发明专利]一种半导体发光元件

说明书

一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与之电性连接；一相反电极，与金属层电性连接；其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠。通过正面电极焊盘下方的金属块可有效防止打线时电介质层脱落。

技术领域

涉及一种半导体发光元件，具体的涉及具有打线电极的半导体发光元件。

背景技术

发光二极管是一种将电能转换为光的半导体器件。 与荧光灯和白炽灯泡相比较，LED具有诸如低功耗、半永久寿命周期、快速响应时间、安全以及环保的优点。LED越来越多地用作诸如各种灯和街灯的照明装置、液晶显示装置的照明单元以及其它室内和室外应用的光源。

现有的发光二极管包括水平类型和垂直类型。垂直类型的发光二极管是通过半导体发光序列转移到其它的基板如硅、碳化硅或金属基板上，并移除原始外延生长衬底的工艺获得，相较于水平类型，可以有效改善支撑衬底带来的吸光、电流拥挤或散热性差的技术问题。衬底的转移一般是键合工艺，键合主要是金属-金属高温高压键合，即在半导体发光序列一侧与基板之间形成金属键合层。半导体序列另一侧提供出光侧，出光侧配置有一打线电极提供电流的注入或流出，半导体序列下方的基板提供电流的流出或流入，由此形成电流垂直经过半导体发光序列的发光二极管。

为了提高出光效率，所述的金属键合层一侧往往会设计金属反射层或金属反射层与电介质层组合形成ODR反射结构，将金属键合层一侧的出光反射至出光侧，提高出光效率。

然而在使用电介质层的情况下，出光侧打线电极下方的电介质层由于打线外力的作用会容易出现脱落的情况。

发明内容

本发明提供一种防止电介质层脱落的半导体发光元件，其包括：

半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；

第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；

电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；

一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与之电性连接；

一相反电极，与金属层电性连接；

其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠。

其中半导体发光序列为通过MOCVD或其它的生长方式获得的半导体发光序列，该半导体发光序列为能够提供常规的如紫外、蓝光、绿、黄、红、红外光等辐射的半导体材料，具体的可以是200~950nm的材料，如常见的氮化物，具体的如氮化镓基半导发光序列，氮化镓基半导体发光序列常见有掺杂铝、铟等元素，主要提供200~550nm波段的辐射；或者常见的铝镓铟磷基或铝镓砷基半导体发光序列，主要提供550~950nm波段的辐射；半导体发光序列主要包括第一导电类型半导体层、发光层和第二类型导电性半导体层；其中第一类型和第二类型的含义是导电性类型不同，可分别通过N型掺杂或P型掺杂实现不同的导电类型。

所述的电介质层可以是绝缘电介材料，如氮化物或氧化物或氟化物。该电介质层更优选的为透光性的绝缘电介材料，透光率至少为50%。电介质层优选的为单一层的材料或至少两层。