[发明专利]一种半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；

第一导电类型半导体层下方具有电介质层，电介质层具有多个贯通的开口；

电介质层下方具有金属层，金属层通过电介质层的多个贯通开口与第一导电类型半导体层形成电性连接；

一正面电极，正面电极具有焊盘，位于第二类型导电性半导体层的上部并与第二类型导电性半导体层电性连接；

一相反电极，与金属层电性连接；

其特征在于：一金属块，位于正面电极焊盘下方的电介质层与半导体发光序列之间，所述金属块的莫氏硬度大于等于6，多个贯通的开口在厚度方向不与金属块重叠，所述的金属块一面侧接触半导体发光序列，另一面接触电介质层。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的正面电极包括焊盘以及延伸部分，延伸部分为条状，所述的金属块仅位于焊盘下方。

3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的正面电极焊盘下方的金属块的面积至少为焊盘面积的1/2。

4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的正面电极焊盘下方的金属块的面积至多与焊盘面积相等。

5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的正面电极焊盘下方的金属块不与半导体发光序列之间发生扩散。

6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的金属块的厚度为20nm-80nm。

7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的电介质层为至少一层，为氮化物、氧化物或氟化物至少的一种材料制成。

8.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的金属层至少为两层，包括金属反射层和金属键合层。

9.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光序列包括氮化物或铝镓铟磷基或铝镓砷基化合物。

10.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的金属层下方具有基板，所述的基板为导电性基板，基板位于相反电极与金属层之间。

11.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的金属层下方具有基板，所述的基板为绝缘性基板，所述相反电极与正面电极位于基板的同侧。

12.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的金属块为钛、铬、钒、锰或包括它们至少之一种金属的合金。

13.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的金属块侧面被电介质层所包覆。

14.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光序列至少两个，所述至少两个半导体发光序列在同一侧被同一支撑基板所支撑。

15.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：金属层通过欧姆接触层与第一导电类型半导体层形成欧姆接触。

16.根据权利要求15所述的一种半导体发光元件，其特征在于：欧姆接触层为透明导电材料或金属合金。