[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。

本申请要求于2018年4月26日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0048349号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的示例实施例涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括接触插塞的半导体存储器装置。

背景技术

半导体装置的接触插塞形成为与栅极结构的栅极间隔件自对准，栅极结构中顺序堆叠着金属栅电极和盖图案并且栅极间隔件形成在它们的侧壁上。然而，因为可以增大盖图案的厚度以防止由于未对准而在金属栅电极与接触插塞之间发生电短路，所以增大了栅极结构的尺寸。

发明内容

根据发明构思的示例实施例，一种半导体装置可以包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层。接触插塞接触栅极结构的侧壁。接触插塞可以包括具有第一宽度的下部和具有比第一宽度大的第二宽度的上部。接触插塞的下表面可以具有台阶形状。

根据发明构思的示例实施例，一种半导体装置可以包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一源极层/漏极层和第二源极层/漏极层，位于基底上，分别与栅极结构的第一侧壁和栅极结构的第二侧壁相邻；第一层间绝缘层，位于基底和第一源极层/漏极层以及第二源极层/漏极层上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和第二层间绝缘层，顺序堆叠在栅极结构和第一层间绝缘层上；以及第一接触插塞和第二接触插塞，分别位于第一源极层/漏极层和第二源极层/漏极层上，并且穿透第二层间绝缘层、第二蚀刻停止层、第一蚀刻停止层和第一层间绝缘层。第一接触插塞可以直接接触栅极结构的第一侧壁和栅极结构的上表面的与栅极结构的第一侧壁相邻的部分。第二接触插塞可以通过第一层间绝缘层与栅极结构的第二侧壁间隔开。

根据发明构思的示例实施例，一种半导体装置可以包括：基底；第一栅极结构和第二栅极结构，位于基底上；源极层/漏极层，在基底上位于第一栅极结构与第二栅极结构之间；以及接触插塞，位于源极层/漏极层上。第一栅极结构和第二栅极结构中的每个可以包括：栅电极；栅极绝缘图案，位于栅电极的侧壁和栅电极的下表面上；栅极间隔件，位于栅极绝缘图案的侧壁上；以及盖图案，位于栅电极、栅极绝缘图案和栅极间隔件上。接触插塞可以接触第一栅极结构的栅极间隔件的侧壁、第一栅极结构的盖图案的侧壁和上表面的一部分、第二栅极结构的栅极间隔件的侧壁以及第二栅极结构的盖图案的侧壁，并且可以具有具备台阶形状的下表面。

附图说明

图1至图4是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的平面图和剖视图。

图5至图24是示出根据本发明构思的一些实施例的制造半导体装置的方法中的阶段的平面图和剖视图。

图25是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的剖视图。

图26是示出根据本发明构思的一些实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图27是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的剖视图。

图28是示出根据本发明构思的一些实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。

图29是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的剖视图。

图30和图31是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的剖视图。

具体实施方式