[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底；

栅极结构，位于基底上；

第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及

接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层，

其中，接触插塞接触栅极结构的侧壁，

其中，接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有比第一宽度大的第二宽度的上部，并且

其中，接触插塞的下表面具有台阶形状。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，接触插塞包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁，

其中，接触插塞的下部位于栅极结构的上表面的高度水平下方，

其中，接触插塞的上部位于等于栅极结构的上表面的高度水平处或者位于栅极结构的上表面的高度水平上方，并且

其中，接触插塞的第一侧壁在栅极结构的上表面的高度水平处弯曲。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，接触插塞的第二侧壁相对于基底的上表面具有恒定的斜率。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，接触插塞包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁，

其中，接触插塞的下部位于栅极结构的上表面的高度水平下方，

其中，接触插塞的上部位于等于栅极结构的上表面的高度水平处或者位于栅极结构的上表面的高度水平上方，

其中，接触插塞的第一侧壁包括相对于基底的上表面的倾斜部分，并且

其中，倾斜部分位于栅极结构的上表面的高度水平下方。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层包括不同的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极结构包括：

栅电极；

栅极绝缘图案，位于栅电极的侧壁和栅电极的下表面上；

栅极间隔件，位于栅极绝缘图案的侧壁上；以及

盖图案，位于栅电极、栅极绝缘图案和栅极间隔件上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，盖图案的下表面弯曲。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，盖图案的上表面的一部分与接触插塞的上部的下侧壁接触。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

源极层/漏极层，位于基底上，与栅极结构相邻，

其中，接触插塞与源极层/漏极层竖直叠置。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

金属硅化物图案，位于源极层/漏极层的上表面与接触插塞的下表面之间，

其中，金属硅化物图案的上表面具有与接触插塞的下表面的形状对应的形状。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极结构包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的多个栅极结构，并且

其中，接触插塞与所述多个栅极结构中的相邻的栅极结构的相面对的侧壁接触。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

多个有源鳍，位于基底上，

其中，所述多个有源鳍中的每个有源鳍在第一方向上延伸，并且

其中，所述多个栅极结构中的每个栅极结构位于所述多个有源鳍上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。