[发明专利]有机电致发光元件的制造方法在审
申请号: | 201910206479.7 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN110323341A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 森井克行;长谷川宗弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本触媒 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C07F5/02;B05D5/12;B05D5/06;C09K11/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于洁;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 实线 式( 1 ) 有机电致发光元件 虚线圆弧 氮原子 发光层 环结构 硼原子 多层有机化合物 阴极 电子传输性 含硼化合物 组合物涂布 阳极 连接基团 双键连接 碳原子数 脂肪族烃 氢原子 溶剂 层积 单键 基板 配位 式中 制造 指向 | ||
一种在阴极与基板上的阳极之间层积有包含发光层的多层有机化合物层的有机电致发光元件的制造方法,包括将包含下式(1)所示的含硼化合物和选自碳原子数3~8的醇、腈、脂肪族烃的溶剂的组合物涂布在发光层上而形成层的工序。式中,虚线圆弧表示与实线所示的骨架部分形成环结构。实线所示的骨架部分中的虚线部分表示以虚线连接的1对原子经单键或双键连接。从氮原子指向硼原子的箭头表示氮原子与硼原子配位。Q1和Q2相同或不同,为实线所示的骨架部分中的连接基团,至少一部分与虚线圆弧部分形成环结构,可具有取代基。X1、X2相同或不同,表示氢原子或1价取代基。X3、X4相同或不同,表示电子传输性的1价取代基。n1~n4相同或不同,表示1~4的数。[化1]
技术领域
本发明涉及有机电致发光元件的制造方法。更详细地说,涉及能够用作电子设备的显示部等显示装置或照明装置等的有机电致发光元件的制造方法。
背景技术
有机电致发光元件(有机EL元件)作为能够适用于显示用器件或照明的新的发光元件而受到期待。
有机电致发光元件具有在阳极与阴极之间夹有包含含有发光性有机化合物而形成的发光层的一种或两种以上的层而成的结构,利用从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子发生再结合时的能量对发光性有机化合物进行激发而得到发光。有机电致发光元件为电流驱动型元件,为了更有效地利用所流通的电流,对元件结构进行了各种改良,并且对构成元件的层的材料也进行了各种研究。
在作为有机电致发光元件的材料被进行研究的化合物中存在含硼化合物。含硼化合物由于硼原子的分子轨道中的电子状态所致的电子特性而作为例如需要电子接受性等特性的有机电致发光元件的电子传输/注入材料或者空穴阻挡材料等受到期待。特别是有机电致发光元件具有作为显示器的各种优异特性,因此正在积极进行能够实现更进一步的高性能化的材料的开发。
可用于这样的用途中的含硼化合物由于其电子特性的原因,难以制成稳定的结构,因此现状是能够实际用于电子器件材料用途中的含硼化合物是有限的。
在这样的状况下,为了将含硼化合物用作下一代的有机电子器件材料,正在进行能够发挥出硼原子所带来的优异的特有性质、同时能够稳定地进行处理的新型化合物的开发。
截止目前,作为以用作有机电子器件材料为目标而进行了研究的含硼化合物,例如公开了下述有机EL元件材料,该有机EL元件材料是包含具有不成对电子且能够与硼配位结合的元素、具有特定结构的有机含硼化合物(例如,参见专利文献1)。另外还公开了将下述有机硼系π电子系化合物用作电子传输材料的技术,该有机硼系π电子系化合物包含氮与硼进行分子内配位而成的结构,且具有1~400个具有特定结构的结构单元结合为链状而成的结构(例如,参见专利文献2)。进一步公开了具有特定结构的含硼原子化合物(例如,参见专利文献3)。
此外,最近,为了在确保有机EL元件的性能的同时提高耐久性,作为不含碱金属的电子注入层,例如在非专利文献1中记载了一种具有由聚乙烯亚胺形成的电子注入层的有机EL元件。另外,在非专利文献2中记载了电解质膜对于改善电子的注入速度是有效的,在非专利文献3中记载了这些氨基对于电极与有机层界面处的电子注入所带来的效果。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4600288号公报
专利文献2:国际公开第2006/070817号
专利文献3:日本特开2013-53123号公报
非专利文献
非专利文献1:Jiangshan Chen et.al.,Journal Of Materials Chemistry,第22卷,2012年,p5164-5170
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择