[发明专利]有机电致发光元件的制造方法在审
申请号: | 201910206479.7 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN110323341A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 森井克行;长谷川宗弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本触媒 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C07F5/02;B05D5/12;B05D5/06;C09K11/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于洁;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 实线 式( 1 ) 有机电致发光元件 虚线圆弧 氮原子 发光层 环结构 硼原子 多层有机化合物 阴极 电子传输性 含硼化合物 组合物涂布 阳极 连接基团 双键连接 碳原子数 脂肪族烃 氢原子 溶剂 层积 单键 基板 配位 式中 制造 指向 | ||
1.一种有机电致发光元件的制造方法,该有机电致发光元件具有在阴极与形成于基板上的阳极之间层积有包含发光层的2层以上的有机化合物层的结构,该制造方法的特征在于,
该制造方法包括将组合物涂布在发光层上而形成层的工序,该组合物包含下式(1)所表示的含硼化合物以及选自由碳原子数为3~8的醇、腈、脂肪族烃组成的组中的溶剂,
[化1]
式(1)中,虚线圆弧表示与实线所表示的骨架部分一起形成环结构,实线所表示的骨架部分中的虚线部分表示以虚线连接的1对原子经单键或双键连接;从氮原子指向硼原子的箭头表示氮原子与硼原子配位;Q1和Q2相同或不同,为实线所表示的骨架部分中的连接基团,Q1和Q2至少一部分与虚线圆弧部分一起形成环结构,Q1和Q2具有或不具有取代基;X1、X2相同或不同,表示氢原子或者作为环结构的取代基的1价取代基;X3、X4相同或不同,表示作为环结构的取代基的电子传输性的1价取代基;n1~n4相同或不同,表示1~4的数。
2.如权利要求1所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,所述溶剂是碳原子数为3~8的醇。
3.如权利要求1或2所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,所述Q1和Q2相同或不同,表示碳原子数为1的连接基团。
4.如权利要求1~3中任一项所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,所述电子传输性的1价取代基是来自在环内具有碳-氮双键的杂芳环化合物的1价基团中的任意一种。
5.如权利要求1~4中任一项所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,所述含硼化合物由下式(5-1)所表示,
[化2]
式中,从氮原子指向硼原子的箭头、X1、X2、X3和X4、n1~n4与式(1)相同。
6.如权利要求1~4中任一项所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,所述含硼化合物由下式(5-2)所表示,
[化3]
式中,从氮原子指向硼原子的箭头、X1、X2、X3和X4、n1~n4与式(1)相同。
7.一种有机电致发光元件的制造方法,该有机电致发光元件具有在阴极与形成于基板上的阳极之间层积有包含发光层的2层以上的有机化合物层的结构,该制造方法的特征在于,
该制造方法包括将组合物涂布在发光层上而形成层的工序,该组合物包含具有下式(7)所表示的结构的含氨基化合物以及选自由碳原子数为1~8的醇和腈组成的组中的溶剂,
(Y)-[(L)-(NR1R2)]m (7)
式中,Y表示来自电子传输性化合物的m价基团;L表示将Y与NR1R2所表示的氨基键合的连接基团或直接键;R1和R2相同或不同,表示具有或不具有取代基的烃基;m表示1~8的数。
8.如权利要求7所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,所述溶剂是碳原子数为1~8的醇。
9.如权利要求7或8所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,在所述式(7)中,Y所表示的来自电子传输性化合物的m价基团中,与L键合的末端部分的结构为吡啶环。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本触媒,未经株式会社日本触媒许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910206479.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光装置及其制造方法
- 下一篇:一种有机电致发光器件及显示元件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择